Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
9
Manufacturer
Series
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Power Dissipation (Max)
Supplier Device Package
Package / Case
Vgs(th) (Max) @ Id
Drain to Source Voltage (Vdss)
Operating Temperature
Mounting Type
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
FET Feature
FET Type
Grade
Qualification
Technology
Vgs (Max)
结果9
搜索条目:
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeFET TypePackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Operating TemperatureSupplier Device PackageTechnologySeriesFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)
FDB8443-F085
MOSFET N-CH 40V 25A TO263AB
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
40 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
D2PAK (TO-263)
MOSFET (Metal Oxide)
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
-
25A (Ta)
4V @ 250µA
10V
5.5mOhm @ 80A, 10V
185 nC @ 10 V
±20V
9310 pF @ 25 V
188W (Tc)
FDI8441_F085
MOSFET N-CH 40V 26A/80A I2PAK
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
N-Channel
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
40 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
I2PAK (TO-262)
MOSFET (Metal Oxide)
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
-
26A (Ta), 80A (Tc)
4V @ 250µA
10V
4.7mOhm @ 80A, 10V
280 nC @ 10 V
±20V
15000 pF @ 25 V
300W (Tc)
FDS8449-F085P
MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
40 V
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-SOIC
MOSFET (Metal Oxide)
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
-
7.6A (Ta)
3V @ 250µA
4.5V, 10V
29mOhm @ 7.6A, 10V
11 nC @ 5 V
±20V
760 pF @ 20 V
5W (Ta)
FDBL86062-F085AW
MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-PowerSFN
100 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
8-HPSOF
MOSFET (Metal Oxide)
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
-
300A (Tj)
4.5V @ 250µA
10V
2mOhm @ 80A, 10V
124 nC @ 10 V
±20V
6970 pF @ 50 V
429W (Tj)
FDBL86366-F085AW
MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-PowerSFN
80 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
8-HPSOF
MOSFET (Metal Oxide)
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
-
220A (Tc)
4V @ 250µA
10V
3mOhm @ 80A, 10V
112 nC @ 10 V
±20V
6320 pF @ 40 V
300W (Tj)
FDBL86063-F085AW
MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-PowerSFN
100 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
8-HPSOF
MOSFET (Metal Oxide)
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
-
240A (Tj)
4V @ 250µA
10V
2.6mOhm @ 80A, 10V
95 nC @ 10 V
±20V
5120 pF @ 50 V
357W (Tj)
FDBL86361-F085AW
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-PowerSFN
80 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
8-HPSOF
MOSFET (Metal Oxide)
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
-
300A (Tc)
4V @ 250µA
10V
1.4mOhm @ 80A, 10V
188 nC @ 10 V
±20V
12800 pF @ 40 V
429W (Tj)
FDBL86066-F085AW
MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-PowerSFN
100 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
8-HPSOF
MOSFET (Metal Oxide)
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
-
185A (Tc)
4V @ 250µA
10V
4.1mOhm @ 80A, 10V
69 nC @ 10 V
±20V
3240 pF @ 50 V
300W (Ta)
FDBL86363-F085AW
MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-PowerSFN
80 V
-55°C ~ 175°C (TJ)
8-HPSOF
MOSFET (Metal Oxide)
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
-
240A (Tc)
4V @ 250µA
10V
2mOhm @ 80A, 10V
169 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 40 V
357W (Tj)

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。