FASTIRFET™, HEXFET® Series, 单 FET,MOSFET

结果:
14
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Power Dissipation (Max)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Vgs(th) (Max) @ Id
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Supplier Device Package
Package / Case
Drain to Source Voltage (Vdss)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Operating Temperature
FET Feature
FET Type
Grade
Mounting Type
Qualification
Technology
Vgs (Max)
结果14
搜索条目:
FASTIRFET™, HEXFET®
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeSupplier Device PackageOperating TemperatureFET TypeDrain to Source Voltage (Vdss)GradePackage / CaseTechnologySeriesFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
IRFHM4234TRPBF
MOSFET N-CH 25V 20A PQFN
1+
¥3.6000
5+
¥3.4000
10+
¥3.2000
数量
37,442 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
25 V
-
8-TQFN Exposed Pad
MOSFET (Metal Oxide)
FASTIRFET™, HEXFET®
-
20A (Ta)
2.1V @ 25µA
4.5V, 10V
4.4mOhm @ 30A, 10V
17 nC @ 10 V
±20V
1011 pF @ 13 V
2.8W (Ta), 28W (Tc)
-
IRFH7191TRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN
1+
¥36.0000
5+
¥34.0000
10+
¥32.0000
数量
24,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
PQFN (5x6)
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
100 V
-
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
FASTIRFET™, HEXFET®
-
15A (Ta), 80A (Tc)
3.6V @ 100µA
10V
8mOhm @ 48A, 10V
39 nC @ 10 V
±20V
1685 pF @ 50 V
3.6W (Ta), 104W (Tc)
-
IRFH7184TRPBF
MOSFET N-CH 100V 20A/128A PQFN
1+
¥27.0000
5+
¥25.5000
10+
¥24.0000
数量
13,047 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
PQFN (5x6)
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
100 V
-
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
FASTIRFET™, HEXFET®
-
20A (Ta), 128A (Tc)
3.6V @ 150µA
10V
4.8mOhm @ 50A, 10V
54 nC @ 10 V
±20V
2320 pF @ 50 V
3.9W (Ta), 156W (Tc)
-
IRFH7185TRPBF
MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PQFN (5x6)
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
100 V
-
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
FASTIRFET™, HEXFET®
-
19A (Ta)
3.6V @ 150µA
10V
5.2mOhm @ 50A, 10V
54 nC @ 10 V
±20V
2320 pF @ 50 V
3.6W (Ta), 160W (Tc)
-
IRFH7187TRPBF
MOSFET N-CH 100V 18A/105A 8PQFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PQFN (5x6)
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
100 V
-
8-PowerVDFN
MOSFET (Metal Oxide)
FASTIRFET™, HEXFET®
-
18A (Ta), 105A (Tc)
3.6V @ 150µA
10V
6mOhm @ 50A, 10V
50 nC @ 10 V
±20V
2116 pF @ 50 V
3.8W (Ta), 132W (Tc)
-
IRFH7194TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/35A 8PQFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PQFN (5x6)
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
100 V
-
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
FASTIRFET™, HEXFET®
-
11A (Ta), 35A (Tc)
3.6V @ 50µA
10V
16.4mOhm @ 21A, 10V
19 nC @ 10 V
±20V
733 pF @ 50 V
3.6W (Ta), 39W (Tc)
-
IRFHM7194TRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.3A/34A 8PQFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
100 V
-
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
FASTIRFET™, HEXFET®
-
9.3A (Ta), 34A (Tc)
3.6V @ 50µA
10V
16.4mOhm @ 20A, 10V
19 nC @ 10 V
±20V
733 pF @ 50 V
2.8W (Ta), 37W (Tc)
-
IRFH7190TRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A/82A PQFN
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
PQFN (5x6)
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
100 V
-
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
FASTIRFET™, HEXFET®
-
15A (Ta), 82A (Tc)
3.6V @ 100µA
10V
7.5mOhm @ 49A, 10V
39 nC @ 10 V
±20V
1685 pF @ 50 V
3.6W (Ta), 104W (Tc)
-
IRFH7182TRPBF
MOSFET N-CH 100V 23A/157A 8PQFN
联系我们
数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PQFN (5x6)
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
100 V
-
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
FASTIRFET™, HEXFET®
-
23A (Ta), 157A (Tc)
3.6V @ 250µA
10V
3.9mOhm @ 50A, 10V
74 nC @ 10 V
±20V
3120 pF @ 50 V
4W (Ta), 195W (Tc)
-
IRF7171MTRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A DIRECTFET
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
DIRECTFET™ MN
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
100 V
-
DirectFET™ Isometric MN
MOSFET (Metal Oxide)
FASTIRFET™, HEXFET®
-
15A (Ta), 93A (Tc)
3.6V @ 150µA
10V
6.5mOhm @ 56A, 10V
54 nC @ 10 V
±20V
2160 pF @ 50 V
2.8W (Ta), 104W (Tc)
-
IRFH7188TRPBF
MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
PQFN (5x6)
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
100 V
-
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
FASTIRFET™, HEXFET®
-
18A (Ta), 105A (Tc)
3.9V @ 150µA
10V
6mOhm @ 50A, 10V
50 nC @ 10 V
±20V
2116 pF @ 50 V
3.8W (Ta), 132W (Tc)
-
IRFH4226TRPBF
MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
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数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PQFN (5x6)
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
25 V
-
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
FASTIRFET™, HEXFET®
-
30A (Ta), 70A (Tc)
2.1V @ 50µA
4.5V, 10V
2.4mOhm @ 30A, 10V
32 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 13 V
3.4W (Ta), 46W (Tc)
-
IRFH4209DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
PQFN (5x6)
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
25 V
-
8-PowerTDFN
MOSFET (Metal Oxide)
FASTIRFET™, HEXFET®
-
44A (Ta), 260A (Tc)
2.1V @ 100µA
4.5V, 10V
1.1mOhm @ 50A, 10V
74 nC @ 10 V
±20V
4620 pF @ 13 V
3.5W (Ta), 125W (Tc)
-
IRFHM4234TRPBF
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
25 V
-
8-TQFN Exposed Pad
MOSFET (Metal Oxide)
FASTIRFET™, HEXFET®
-
20A (Ta)
2.1V @ 25µA
4.5V, 10V
4.4mOhm @ 30A, 10V
17 nC @ 10 V
±20V
1011 pF @ 13 V
2.8W (Ta), 28W (Tc)
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。