eGaN® 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
82
Manufacturer
Series
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Vgs(th) (Max) @ Id
Drain to Source Voltage (Vdss)
Operating Temperature
Supplier Device Package
Package / Case
Vgs (Max)
FET Feature
Grade
Qualification
Technology
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
FET Type
Mounting Type
Power Dissipation (Max)
结果82
搜索条目:
eGaN®
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureSeriesFET TypeGradePackage / CaseSupplier Device PackageFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CTechnologyDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Vgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Power Dissipation (Max)QualificationInput Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsRds On (Max) @ Id, Vgs
EPC7018GSH
GAN FET HEMT 100V 90A 5UB
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
5-SMD, No Lead
5-SMD
-
80A (Tc)
GaNFET (Gallium Nitride)
100 V
5V
2.5V @ 12mA
11.7 nC @ 5 V
+6V, -4V
-
-
1240 pF @ 50 V
6mOhm @ 40A, 5V
EPC2619
TRANS GAN 80V .0042 OHM 6LGA
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
Die
Die
-
29A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
100 V
5V
2.5V @ 5.5mA
8.3 nC @ 5 V
+6V, -4V
-
-
1180 pF @ 50 V
3.3mOhm @ 16A, 5V
EPC2308
Linear IC's
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
7-PowerWQFN
7-QFN (3x5)
-
48A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
150 V
5V
2.5V @ 5mA
13.8 nC @ 5 V
+6V, -4V
-
-
2103 pF @ 75 V
6mOhm @ 15A, 5V
EPC2304
Linear IC's
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
7-PowerWQFN
7-QFN (3x5)
-
102A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
200 V
5V
2.5V @ 8mA
24 nC @ 5 V
+6V, -4V
-
-
3195 pF @ 100 V
3.1mOhm @ 32A, 5V
EPC2307
Linear IC's
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
7-PowerWQFN
7-QFN (3x5)
-
48A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
200 V
5V
2.5V @ 4mA
10.6 nC @ 5 V
+6V, -4V
-
-
1401 pF @ 100 V
10mOhm @ 16A, 5V
EPC2001
GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 125°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
Die
Die
-
25A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
100 V
5V
2.5V @ 5mA
10 nC @ 5 V
+6V, -5V
-
-
950 pF @ 50 V
7mOhm @ 25A, 5V
EPC2010
GANFET N-CH 200V 12A DIE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 125°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
Die
Die
-
12A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
200 V
5V
2.5V @ 3mA
7.5 nC @ 5 V
+6V, -4V
-
-
540 pF @ 100 V
25mOhm @ 6A, 5V
EPC2018
GANFET N-CH 150V 12A DIE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 125°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
Die
Die
-
12A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
150 V
5V
2.5V @ 3mA
7.5 nC @ 5 V
+6V, -5V
-
-
540 pF @ 100 V
25mOhm @ 6A, 5V
EPC2021ENGR
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
Die
Die
-
60A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
80 V
5V
2.5V @ 14mA
15 nC @ 5 V
+6V, -4V
-
-
1700 pF @ 40 V
2.5mOhm @ 29A, 5V
EPC2025
GANFET N-CH 300V 4A DIE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
Die
Die
-
4A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
300 V
5V
2.5V @ 1mA
-
+6V, -4V
-
-
194 pF @ 240 V
150mOhm @ 3A, 5V
EPC2302ENGRT
TRANS GAN 100V DIE .0019OHM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
7-PowerWQFN
7-QFN (3x5)
-
101A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
100 V
5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V, -4V
-
-
3200 pF @ 50 V
1.8mOhm @ 50A, 5V
EPC2252
TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
Die
Die
-
8.2A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
80 V
-
2.5V @ 2.5mA
4.3 nC @ 5 V
+6V, -4V
-
-
576 pF @ 50 V
11mOhm @ 11A, 5V
EPC7018GC
GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
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Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
5-SMD, No Lead
5-SMD
-
80A (Tc)
GaNFET (Gallium Nitride)
100 V
5V
2.5V @ 12mA
11.7 nC @ 5 V
+6V, -4V
-
-
1240 pF @ 50 V
6mOhm @ 40A, 5V
EPC7019GC
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
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-55°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
5-SMD, No Lead
5-SMD
-
80A (Tc)
GaNFET (Gallium Nitride)
40 V
5V
2.5V @ 18mA
-
+6V, -4V
-
-
2830 pF @ 20 V
4mOhm @ 50A, 5V
EPC7020GC
GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
5-SMD, No Lead
5-SMD
-
80A (Tc)
GaNFET (Gallium Nitride)
200 V
5V
2.5V @ 7mA
-
+6V, -4V
-
-
1313 pF @ 100 V
14.5mOhm @ 30A, 5V
EPC2307ENGRT
TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
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-40°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
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7-PowerWQFN
7-QFN (3x5)
-
48A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
200 V
5V
2.5V @ 4mA
10.6 nC @ 5 V
+6V, -4V
-
-
1401 pF @ 100 V
10mOhm @ 16A, 10V
EPC2032
GANFET N-CH 100V 48A DIE
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
Die
Die
-
48A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
100 V
5V
2.5V @ 11mA
15 nC @ 5 V
+6V, -4V
-
-
1530 pF @ 50 V
4mOhm @ 30A, 5V
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
Die
Die
-
3.4A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
15 V
5V
2.5V @ 1mA
0.93 nC @ 5 V
-
-
-
105 pF @ 6 V
30mOhm @ 1.5A, 5V
EPC2216
GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
Automotive
Die
Die
Standard
3.4A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
15 V
5V
2.5V @ 1mA
1.1 nC @ 5 V
+6V, -4V
-
AEC-Q101
118 pF @ 7.5 V
26mOhm @ 1.5A, 5V
EPC2619ENGRT
TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
eGaN®
N-Channel
-
Die
Die
-
29A (Ta)
GaNFET (Gallium Nitride)
100 V
5V
2.5V @ 5.5mA
8.3 nC @ 5 V
+6V, -4V
-
-
1180 pF @ 50 V
3.3mOhm @ 16A, 5V

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。