PolarHV™ Series, 单 FET,MOSFET

结果:
51
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Power Dissipation (Max)
Supplier Device Package
Vgs(th) (Max) @ Id
Package / Case
Mounting Type
Drain to Source Voltage (Vdss)
Operating Temperature
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
FET Feature
FET Type
Grade
Qualification
Technology
结果51
搜索条目:
PolarHV™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseGradeSupplier Device PackageSeriesTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
IXTA6N50P
MOSFET N-CH 500V 6A TO263
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
TO-263AA
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
6A (Tc)
500 V
10V
1.1Ohm @ 3A, 10V
5V @ 50µA
14.6 nC @ 10 V
±30V
740 pF @ 25 V
100W (Tc)
-
IXTY5N50P
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
TO-252AA
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
4.8A (Tc)
500 V
10V
1.4Ohm @ 2.4A, 10V
5.5V @ 50µA
12.6 nC @ 10 V
±30V
620 pF @ 25 V
89W (Tc)
-
IXTU1R4N60P
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
-
TO-251AA
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
1.4A (Tc)
600 V
10V
9Ohm @ 700mA, 10V
5.5V @ 25µA
5.2 nC @ 10 V
±30V
140 pF @ 25 V
50W (Tc)
-
IXTP8N50PM
MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
-
TO-220-3
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
4A (Tc)
500 V
10V
800mOhm @ 4A, 10V
5.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±30V
1050 pF @ 25 V
41W (Tc)
-
IXTA2N80P
MOSFET N-CH 800V 2A TO263
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
TO-263AA
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
2A (Tc)
800 V
10V
6Ohm @ 1A, 10V
5.5V @ 50µA
10.6 nC @ 10 V
±30V
440 pF @ 25 V
70W (Tc)
-
IXFC10N80P
MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-
N-Channel
ISOPLUS220™
-
ISOPLUS220™
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
5A (Tc)
800 V
-
-
-
-
-
-
-
-
IXTV22N60P
MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3, Short Tab
-
PLUS220
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
22A (Tc)
600 V
10V
350mOhm @ 11A, 10V
5.5V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±30V
3600 pF @ 25 V
400W (Tc)
-
IXTP7N60P
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
-
TO-220-3
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
7A (Tc)
600 V
10V
1.1Ohm @ 3.5A, 10V
5.5V @ 100µA
20 nC @ 10 V
±30V
1080 pF @ 25 V
150W (Tc)
-
IXTA5N60P
MOSFET N-CH 600V 5A TO263
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
TO-263AA
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
5A (Tc)
600 V
10V
1.7Ohm @ 2.5A, 10V
5.5V @ 50µA
14.2 nC @ 10 V
±30V
750 pF @ 25 V
100W (Tc)
-
IXTA4N60P
MOSFET N-CH 600V 4A TO263
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
TO-263AA
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
4A (Tc)
600 V
10V
2Ohm @ 2A, 10V
5.5V @ 100µA
13 nC @ 10 V
±30V
635 pF @ 25 V
89W (Tc)
-
IXTD2N60P-1J
MOSFET N-CH 600V 2A DIE
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
Die
Die
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
2A (Tc)
600 V
10V
5.1Ohm @ 1A, 10V
5V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±30V
240 pF @ 25 V
56W (Tc)
IXTA5N50P
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO263
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
TO-263AA
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
4.8A (Tc)
500 V
10V
1.4Ohm @ 2.4A, 10V
5.5V @ 50µA
12.6 nC @ 10 V
±30V
620 pF @ 25 V
89W (Tc)
-
IXTP5N50P
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO220AB
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-220-3
-
TO-220-3
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
4.8A (Tc)
500 V
10V
1.4Ohm @ 2.4A, 10V
5.5V @ 50µA
12.6 nC @ 10 V
±30V
620 pF @ 25 V
89W (Tc)
-
IXTA3N50P
MOSFET N-CH 500V 3.6A TO263
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
TO-263AA
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.6A (Tc)
500 V
10V
2Ohm @ 1.8A, 10V
5.5V @ 50µA
9.3 nC @ 10 V
±30V
409 pF @ 25 V
70W (Tc)
-
IXTY1R6N50P
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
TO-252AA
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
1.6A (Tc)
500 V
10V
6.5Ohm @ 500mA, 10V
5.5V @ 25µA
3.9 nC @ 10 V
±30V
140 pF @ 25 V
43W (Tc)
-
IXFN64N50PD3
MOSFET N-CH 500V 50A SOT227B
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
SOT-227-4, miniBLOC
-
SOT-227B
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
50A (Tc)
500 V
10V
85mOhm @ 32A, 10V
5V @ 8mA
186 nC @ 10 V
±30V
11000 pF @ 25 V
625W (Tc)
-
IXTD1R4N60P 11
MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
Die
Die
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
1.4A (Tc)
600 V
10V
9Ohm @ 700mA, 10V
5.5V @ 25µA
5.2 nC @ 10 V
±30V
140 pF @ 25 V
50W (Tc)
IXTD4N80P-3J
MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
Die
Die
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
3.6A (Tc)
800 V
10V
3.4Ohm @ 1.8A, 10V
5.5V @ 100µA
14.2 nC @ 10 V
±30V
750 pF @ 25 V
100W (Tc)
IXTD3N60P-2J
MOSFET N-CH 600V 3A DIE
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
Die
Die
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
3A (Tc)
600 V
10V
2.9Ohm @ 1.5A, 10V
5.5V @ 50µA
9.8 nC @ 10 V
±30V
411 pF @ 25 V
70W (Tc)
IXTD3N50P-2J
MOSFET N-CH 500V 3A DIE
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
Die
Die
PolarHV™
MOSFET (Metal Oxide)
-
3A (Tc)
500 V
10V
2Ohm @ 1.5A, 10V
5.5V @ 50µA
9.3 nC @ 10 V
±30V
409 pF @ 25 V
70W (Tc)

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。