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NexFET™ 系列, 单 FET，MOSFET
结果:
240
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Power Dissipation (Max)
Vgs(th) (Max) @ Id
Supplier Device Package
Package / Case
Vgs (Max)
Drain to Source Voltage (Vdss)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Operating Temperature
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FET Type
Grade
Mounting Type
Qualification
Technology
结果：240
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NexFET™
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 | 联系我们 | 联系我们 | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 25 V | - | 8-PowerTDFN | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.4V @ 250µA | 8-VSON-CLIP (5x6) | 33A (Ta), 100A (Tc) | 3V, 8V | 2mOhm @ 30A, 8V | 25 nC @ 4.5 V | +10V, -8V | 4000 pF @ 12.5 V | 3.1W (Ta) | - | ||
 | 联系我们 | 联系我们 | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 30 V | - | 8-PowerTDFN | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.6V @ 250µA | 8-VSON-CLIP (5x6) | 32A (Ta), 100A (Tc) | 3V, 8V | 2.4mOhm @ 25A, 8V | 23 nC @ 4.5 V | +10V, -8V | 3420 pF @ 15 V | 3.2W (Ta) | - | ||
 | 联系我们 | 154,300 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 40 V | - | 8-PowerTDFN | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 2.3V @ 250µA | 8-VSONP (5x6) | 19A (Ta), 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.3mOhm @ 22A, 10V | 32 nC @ 10 V | ±20V | 2640 pF @ 20 V | 3.1W (Ta), 120W (Tc) | - | ||
| 联系我们 | 9,997 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 60 V | - | 8-PowerTDFN | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 2.2V @ 250µA | 8-VSONP (5x6) | 100A (Ta) | 4.5V, 10V | 3.2mOhm @ 25A, 10V | 58 nC @ 10 V | ±20V | 5070 pF @ 30 V | 3.2W (Ta), 156W (Tc) | - | ||
| 联系我们 | 联系我们 | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 60 V | - | 8-PowerTDFN | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 2.4V @ 250µA | 8-VSONP (5x6) | 100A (Ta) | 4.5V, 10V | 6.8mOhm @ 18A, 10V | 20 nC @ 10 V | ±20V | 1500 pF @ 30 V | 3.2W (Ta), 116W (Tc) | - | ||
 | 联系我们 | 850,000 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 12 V | - | 3-XFDFN | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.1V @ 250µA | 3-PICOSTAR | 2.1A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 180mOhm @ 500mA, 4.5V | 1.4 nC @ 4.5 V | 8V | 200 pF @ 6 V | 500mW (Ta) | - | ||
 | 联系我们 | 49,816 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 20 V | - | 4-UFBGA, DSBGA | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.1V @ 250µA | 4-DSBGA (1x1) | 1.6A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 47mOhm @ 1A, 4.5V | 2.9 nC @ 4.5 V | -6V | 478 pF @ 10 V | 1W (Ta) | - | ||
| 联系我们 | 24,000 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 12 V | - | 4-UFBGA, DSBGA | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.1V @ 250µA | 4-DSBGA (1x1) | 1.6A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 34mOhm @ 1A, 4.5V | 2.9 nC @ 4.5 V | ±8V | 462 pF @ 6 V | 1.2W (Ta) | - | ||
 | 联系我们 | 71,440 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 30 V | - | 6-WDFN Exposed Pad | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.2V @ 250µA | 6-WSON (2x2) | 25A (Tc) | 2.5V, 8V | 15.1mOhm @ 8A, 8V | 6 nC @ 4.5 V | ±10V | 879 pF @ 15 V | 16W (Tc) | - | ||
| 联系我们 | 105,164 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 20 V | - | 3-XFDFN | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.2V @ 250µA | 3-PICOSTAR | 1.6A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 205mOhm @ 500mA, 8V | 0.959 nC @ 4.5 V | -12V | 198 pF @ 10 V | 500mW (Ta) | - | ||
| 联系我们 | 274,504 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 12 V | - | 3-XFDFN | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.2V @ 250µA | 3-PICOSTAR | 2.3A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 175mOhm @ 500mA, 4.5V | 1.14 nC @ 4.5 V | -8V | 236 pF @ 6 V | 500mW (Ta) | - | ||
| 联系我们 | 317,876 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 30 V | - | 3-XFDFN | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.1V @ 250µA | 3-PICOSTAR | 1.5A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 240mOhm @ 500mA, 8V | 1.3 nC @ 4.5 V | 12V | 190 pF @ 15 V | 500mW (Ta) | - | ||
 | 联系我们 | 联系我们 | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 20 V | - | 3-XFDFN | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.2V @ 250µA | 3-PICOSTAR | 2.5A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 88mOhm @ 500mA, 8V | 0.913 nC @ 4.5 V | -12V | 189 pF @ 10 V | 500mW (Ta) | - | ||
| 联系我们 | 31,000 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 30 V | - | 8-PowerTDFN | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.8V @ 250µA | 8-VSON-CLIP (5x6) | 100A (Ta) | 4.5V, 10V | 1mOhm @ 35A, 10V | 64 nC @ 4.5 V | ±20V | 9000 pF @ 15 V | 3.2W (Ta), 195W (Tc) | - | ||
| 联系我们 | 12,827 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 30 V | - | 8-PowerTDFN | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.55V @ 250µA | 8-VSONP (5x6) | 28A (Ta), 100A (Tc) | 3V, 8V | 2.6mOhm @ 25A, 8V | 25 nC @ 4.5 V | +10V, -8V | 3480 pF @ 15 V | 3.2W (Ta) | - | ||
 | 联系我们 | 3,920 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 20 V | - | 6-WDFN Exposed Pad | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.1V @ 250µA | 6-WSON (2x2) | 20A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 23.9mOhm @ 5A, 4.5V | 4.7 nC @ 4.5 V | ±8V | 655 pF @ 10 V | 2.9W (Ta) | - | ||
| 联系我们 | 2,000 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 25 V | - | 8-PowerTDFN | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.9V @ 250µA | 8-VSONP (5x6) | 28A (Ta), 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.8mOhm @ 20A, 10V | 18 nC @ 4.5 V | +16V, -12V | 2660 pF @ 12.5 V | 3.1W (Ta) | - | ||
| 联系我们 | 35,010 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 30 V | - | 6-WDFN Exposed Pad | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.8V @ 250µA | 6-WSON (2x2) | 5A (Ta) | 3V, 8V | 30mOhm @ 4A, 8V | 2.7 nC @ 4.5 V | +10V, -8V | 340 pF @ 15 V | 2.4W (Ta), 17W (Tc) | - | ||
 | 联系我们 | 联系我们 | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 8 V | - | 9-UFBGA, DSBGA | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 950mV @ 250µA | 9-DSBGA | 5A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 9.9mOhm @ 2A, 4.5V | 24.6 nC @ 4.5 V | -6V | 1130 pF @ 4 V | 1.7W (Ta) | - | ||
| 联系我们 | 6,649 可用 可以立即发货 发货地: HK | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 100 V | - | 8-PowerTDFN | NexFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | - | 3.3V @ 250µA | 8-VSONP (5x6) | 100A (Tc) | 6V, 10V | 6.4mOhm @ 16A, 10V | 48 nC @ 10 V | ±20V | 3870 pF @ 50 V | 3.3W (Ta), 125W (Tc) | - |
关于 单 FET，MOSFET
离散场效应晶体管（FET）是一种非常多功能的电子元件，用于各种应用，包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作，同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上，其他器件类型如绝缘栅双极晶体管（IGBT）会更具竞争力。对于低电压应用，FET通常优于IGBT，因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置，以适应特定的应用需求。例如，可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力，或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件，如二极管和电容器结合使用，构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外，FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件，因此不容易磨损。此外，它们可以在高温下工作而不降低性能，非常适合在恶劣环境中使用。 总之，离散场效应晶体管（FET）由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用，优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性，FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。
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