深圳智勤芯科技有限公司是一家具有二十多年专业化的电子元器件供应商，是国内市场较具规模的电子元器件供应商之一。公司以“信誉第一、价格合理、诚信经营”为宗旨，在同行业中树立了良好的口碑。受到了众多客户的好评与信赖，在广大客户的提携、支持下，在激烈的市场竞争中，公司不断创新，逐步发展，在电子商务这一新兴领域中已有了长足的发展，并形成了一套有自己特色的管理、运作系统。我们的核心优势之一是我们严格的质量保证体系和专业的质量控制团队。我们共同努力，确保我们的产品和服务符合最高质量标准。为了进一步验证我们对质量的承诺，我们已获得ESD, AS9120B, ISO9001, ISO14001等认证。

深圳智勤芯科技有限公司秉承＂以人为本＂的人才观，大力吸纳专业人才以充实技术，管理和营销队伍，不断完善自身管理，提供优质服务，打造优秀品牌，追求卓越目标。我们拥有专业的销售人员以及出色的工程技术专家，一贯以快速回应客户的咨询及提供优质的交货服务为基础，为客户提供与应用需求最紧密结合的解决方案，从而降低客户的开发与应用成本，使智勤芯科技与客户在互利中共同成长。

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我们多样化的服务使我们能够为各种行业提供电子元件，包括汽车，消费品，合同制造商，电子制造服务(EMS)，能源系统和控制，工业自动化，测量技术，医疗设备，电信和焊接。

TrenchMOS™ 系列, 单 FET，MOSFET

结果:

1,022

选择	图片	产品详情	单价	可用性	ECAD 模型	Mounting Type	FET Type	Package / Case	Supplier Device Package	Drain to Source Voltage (Vdss)	Operating Temperature	Series	Technology	FET Feature	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	Vgs(th) (Max) @ Id	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	Power Dissipation (Max)

BUK761R3-30E,118

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

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N-Channel

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

D2PAK

30 V

-55°C ~ 175°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

120A (Tc)

4V @ 1mA

10V

1.3mOhm @ 25A, 10V

154 nC @ 10 V

±20V

11960 pF @ 25 V

357W (Tc)

BUK76150-55A,118

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 55V 11A D2PAK

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

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N-Channel

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

D2PAK

55 V

-55°C ~ 175°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

11A (Tc)

4V @ 1mA

10V

150mOhm @ 5A, 10V

5.5 nC @ 10 V

±20V

322 pF @ 25 V

36W (Tc)

BUK9528-55A,127

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 55V 40A TO220AB

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Through Hole

N-Channel

TO-220-3

TO-220AB

55 V

-55°C ~ 175°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

40A (Tc)

2V @ 1mA

4.5V, 10V

28mOhm @ 20A, 5V

±10V

1700 pF @ 25 V

99W (Tc)

PHD16N03T,118

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK

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N-Channel

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DPAK

30 V

-55°C ~ 175°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

13.1A (Tc)

4V @ 1mA

10V

100mOhm @ 13A, 10V

5.2 nC @ 10 V

±20V

180 pF @ 30 V

32.6W (Tc)

PHP66NQ03LT,127

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 25V 66A TO220AB

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Through Hole

N-Channel

TO-220-3

TO-220AB

25 V

-55°C ~ 175°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

66A (Tc)

2V @ 1mA

5V, 10V

10.5mOhm @ 25A, 10V

12 nC @ 5 V

±20V

860 pF @ 25 V

93W (Tc)

PMN28UN,165

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP

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N-Channel

SC-74, SOT-457

SC-74

12 V

-55°C ~ 150°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

5.7A (Tc)

700mV @ 1mA (Typ)

1.8V, 4.5V

34mOhm @ 2A, 4.5V

10.1 nC @ 4.5 V

±8V

740 pF @ 10 V

1.75W (Tc)

BUK952R3-40E,127

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

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N-Channel

TO-220-3

TO-220AB

40 V

-55°C ~ 175°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

120A (Tc)

2.1V @ 1mA

5V, 10V

2.2mOhm @ 25A, 10V

87.8 nC @ 5 V

±10V

13160 pF @ 25 V

293W (Tc)

BUK9E3R7-60E,127

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

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Through Hole

N-Channel

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

I2PAK

60 V

-55°C ~ 175°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

120A (Tc)

2.1V @ 1mA

5V, 10V

3.4mOhm @ 25A, 10V

95 nC @ 5 V

±10V

13490 pF @ 25 V

293W (Tc)

BUK9E8R5-40E,127

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK

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Through Hole

N-Channel

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

I2PAK

40 V

-55°C ~ 175°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

75A (Tc)

2.1V @ 1mA

5V, 10V

6.6mOhm @ 20A, 10V

20.9 nC @ 5 V

±10V

2600 pF @ 25 V

96W (Tc)

BUK7213-40A,118

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 40V 55A DPAK

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N-Channel

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DPAK

40 V

-55°C ~ 175°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

55A (Tc)

4V @ 1mA

10V

13mOhm @ 25A, 10V

47 nC @ 10 V

±20V

2245 pF @ 25 V

150W (Tc)

PHX27NQ11T,127

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 110V 20.8A TO220F

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N-Channel

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

TO-220F

110 V

-55°C ~ 150°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

20.8A (Tc)

4V @ 1mA

10V

50mOhm @ 14A, 10V

30 nC @ 10 V

±20V

1240 pF @ 25 V

50W (Tc)

BUK7505-30A,127

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

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Through Hole

N-Channel

TO-220-3

TO-220AB

30 V

-55°C ~ 175°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

75A (Tc)

4V @ 1mA

10V

5mOhm @ 25A, 10V

±20V

6000 pF @ 25 V

230W (Tc)

BUK9E15-60E,127

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK

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N-Channel

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

I2PAK

60 V

-55°C ~ 175°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

54A (Tc)

2.1V @ 1mA

5V, 10V

13mOhm @ 15A, 10V

20.5 nC @ 5 V

±10V

2651 pF @ 25 V

96W (Tc)

BUK9E1R6-30E,127

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

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N-Channel

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

I2PAK

30 V

-55°C ~ 175°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

120A (Tc)

2.1V @ 1mA

5V, 10V

1.4mOhm @ 25A, 10V

113 nC @ 5 V

±10V

16150 pF @ 25 V

349W (Tc)

PMN38EN,165

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP

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N-Channel

SC-74, SOT-457

SC-74

30 V

-55°C ~ 150°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

5.4A (Tc)

2V @ 1mA

4.5V, 10V

38mOhm @ 3A, 10V

6.1 nC @ 4.5 V

±20V

495 pF @ 25 V

1.75W (Tc)

PMN49EN,165

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Surface Mount

N-Channel

SC-74, SOT-457

SC-74

30 V

-55°C ~ 150°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

4.6A (Tc)

2V @ 1mA

4.5V, 10V

47mOhm @ 2A, 10V

8.8 nC @ 4.5 V

±20V

350 pF @ 30 V

1.75W (Tc)

PH1825AL,115

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

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Surface Mount

N-Channel

SC-100, SOT-669

LFPAK56, Power-SO8

25 V

-55°C ~ 150°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

100A (Tc)

2.15V @ 1mA

4.5V, 10V

1.8mOhm @ 25A, 10V

31 nC @ 4.5 V

±20V

4300 pF @ 12 V

104W (Tc)

PH3430AL,115

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Surface Mount

N-Channel

SC-100, SOT-669

LFPAK56, Power-SO8

30 V

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

100A (Tc)

2.15V @ 1mA

3.5mOhm @ 15A, 10V

41 nC @ 10 V

2458 pF @ 12 V

PMCM650VNE/S500Z

Nexperia

MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Surface Mount

N-Channel

6-XFBGA, WLCSP

6-WLCSP (1.48x0.98)

12 V

-55°C ~ 150°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

8.4A (Ta)

900mV @ 250µA

1.5V, 4.5V

25mOhm @ 3A, 4.5V

15.4 nC @ 4.5 V

±8V

1060 pF @ 6 V

12.5W (Tc)

PHM30NQ10T,518

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON

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PCB Symbol, Footprint & 3D Model

Surface Mount

N-Channel

8-VDFN Exposed Pad

8-HVSON (5x6)

100 V

-55°C ~ 150°C (TJ)

TrenchMOS™

MOSFET (Metal Oxide)

37.6A (Tc)

4V @ 1mA

10V

20mOhm @ 18A, 10V

53.7 nC @ 10 V

±20V

3600 pF @ 25 V

62.5W (Tc)

关于单 FET，MOSFET

离散场效应晶体管（FET）是一种非常多功能的电子元件，用于各种应用，包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作，同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上，其他器件类型如绝缘栅双极晶体管（IGBT）会更具竞争力。对于低电压应用，FET通常优于IGBT，因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置，以适应特定的应用需求。例如，可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力，或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件，如二极管和电容器结合使用，构成更复杂的电路。除了多功能性和高效率外，FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件，因此不容易磨损。此外，它们可以在高温下工作而不降低性能，非常适合在恶劣环境中使用。总之，离散场效应晶体管（FET）由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用，优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性，FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。

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