OptiMOS™ Series, 单 FET,MOSFET

结果:
1,703
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Vgs(th) (Max) @ Id
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Power Dissipation (Max)
Supplier Device Package
Package / Case
Drain to Source Voltage (Vdss)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Vgs (Max)
Operating Temperature
FET Feature
Mounting Type
FET Type
Grade
Qualification
Technology
Configuration
Power - Max
结果1,703
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OptiMOS™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypePackage / CasePower - MaxOperating TemperatureSeriesTechnologyFET FeatureDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CRds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsInput Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsSupplier Device PackageQualificationGradeConfiguration
IPG20N06S4L11ATMA1
IPG20N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
1+
$16.2000
5+
$15.3000
10+
$14.4000
数量
14,543 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerVDFN
65W
-55°C ~ 175°C (TJ)
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
Logic Level Gate
60V
20A
11.2mOhm @ 17A, 10V
2.2V @ 28µA
53nC @ 10V
4020pF @ 25V
PG-TDSON-8-4
AEC-Q101
Automotive
2 N-Channel (Dual)
IPC014N03L3X1SA1
MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
Die
-
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
30 V
2A (Tj)
50mOhm @ 2A, 10V
2.2V @ 250µA
-
-
Sawn on foil
-
-
IPP06CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
-55°C ~ 175°C (TJ)
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
100 V
100A (Tc)
6.5mOhm @ 100A, 10V
4V @ 180µA
139 nC @ 10 V
9200 pF @ 50 V
PG-TO220-3
IPP091N06N G
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
-
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
60 V
80A (Tc)
9.1mOhm @ 80A, 10V
4V @ 130µA
81 nC @ 10 V
2800 pF @ 30 V
PG-TO220-3
-
-
IPB091N06N G
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
60 V
80A (Tc)
8.8mOhm @ 80A, 10V
4V @ 130µA
81 nC @ 10 V
2800 pF @ 30 V
PG-TO263-3
-
-
IPB070N06N G
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
60 V
80A (Tc)
6.7mOhm @ 80A, 10V
4V @ 180µA
126 nC @ 10 V
4300 pF @ 30 V
PG-TO263-3
-
-
IPS090N03LGBKMA1
MOSFET N-CHANNEL 30V 40A TO251-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-251-3 Stub Leads, IPak
-55°C ~ 175°C (TJ)
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
30 V
40A (Tc)
9mOhm @ 30A, 10V
2.2V @ 250µA
15 nC @ 10 V
1600 pF @ 15 V
PG-TO251-3-11
IPS075N03LGBKMA1
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-251-3 Stub Leads, IPak
-55°C ~ 175°C (TJ)
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
30 V
50A (Tc)
7.5mOhm @ 30A, 10V
2.2V @ 250µA
18 nC @ 10 V
1900 pF @ 15 V
PG-TO251-3-11
IPS060N03LGBKMA1
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-251-3 Stub Leads, IPak
-55°C ~ 175°C (TJ)
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
30 V
50A (Tc)
6mOhm @ 30A, 10V
2.2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
2400 pF @ 15 V
PG-TO251-3-11
IPS050N03LGBKMA1
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-251-3 Stub Leads, IPak
-55°C ~ 175°C (TJ)
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
30 V
50A (Tc)
5mOhm @ 30A, 10V
2.2V @ 250µA
31 nC @ 10 V
3200 pF @ 15 V
PG-TO251-3-11
IPP90N04S402AKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3-1
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
-55°C ~ 175°C (TJ)
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
40 V
90A (Tc)
2.5mOhm @ 90A, 10V
4V @ 95µA
118 nC @ 10 V
9430 pF @ 25 V
PG-TO220-3-1
IPD06P007NATMA1
MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-55°C ~ 175°C (TJ)
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
60 V
4.3A (Tc)
400mOhm @ 4.3A, 10V
4V @ 166µA
6.7 nC @ 10 V
260 pF @ 30 V
PG-TO252-3
IPD06P005LATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-55°C ~ 175°C (TJ)
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
60 V
6.5A (Tc)
250mOhm @ 6.5A, 10V
2V @ 270µA
13.8 nC @ 10 V
420 pF @ 30 V
PG-TO252-3
ISP06P008NSATMA1
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
-
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
-
-
-
-
-
-
PG-SOT223
IPI032N06N3GE8214AKSA1
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
-55°C ~ 175°C (TJ)
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
60 V
120A (Tc)
3.2mOhm @ 100A, 10V
4V @ 118µA
165 nC @ 10 V
13000 pF @ 30 V
PG-TO262-3-1
BSC0906NSE8189ATMA1
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
8-PowerTDFN
-55°C ~ 150°C (TJ)
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
30 V
18A (Ta), 63A (Tc)
4.5mOhm @ 30A, 10V
2V @ 250µA
18 nC @ 10 V
1200 pF @ 15 V
PG-TDSON-8-34
ISP06P005NSATMA1
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
-
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
-
-
-
-
-
-
PG-SOT223
ISP06P005LSATMA1
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
-
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
-
-
-
-
-
-
PG-SOT223
IPP35CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
-55°C ~ 175°C (TJ)
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
100 V
27A (Tc)
35mOhm @ 27A, 10V
4V @ 29µA
24 nC @ 10 V
1570 pF @ 50 V
PG-TO220-3
IPP12CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-3
-55°C ~ 175°C (TJ)
OptiMOS™
MOSFET (Metal Oxide)
-
100 V
67A (Tc)
12.9mOhm @ 67A, 10V
4V @ 83µA
65 nC @ 10 V
4320 pF @ 50 V
PG-TO220-3

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。