U-MOSVII 系列, 单 FET,MOSFET

结果:
13
Manufacturer
Series
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Supplier Device Package
Package / Case
Power Dissipation (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Vgs(th) (Max) @ Id
Vgs (Max)
Operating Temperature
Drain to Source Voltage (Vdss)
FET Type
FET Feature
Grade
Mounting Type
Qualification
Technology
结果13
搜索条目:
U-MOSVII
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeFET TypePackage / CaseOperating TemperatureDrain to Source Voltage (Vdss)GradeSeriesTechnologyFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Supplier Device PackageQualification
TPCC8093,L1Q
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-PowerVDFN
150°C
20 V
-
U-MOSVII
MOSFET (Metal Oxide)
-
21A (Ta)
2.5V, 4.5V
5.8mOhm @ 10.5A, 4.5V
1.2V @ 500µA
16 nC @ 5 V
±12V
1860 pF @ 10 V
1.9W (Ta), 30W (Tc)
8-TSON Advance (3.1x3.1)
-
TPC8092,LQ(S
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
150°C (TJ)
30 V
-
U-MOSVII
MOSFET (Metal Oxide)
-
15A (Ta)
4.5V, 10V
9mOhm @ 7.5A, 10V
2.3V @ 200µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 10 V
1W (Ta)
8-SOP
-
SSM3J65CTC,L3F
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
P-Channel
SC-101, SOT-883
150°C
20 V
-
U-MOSVII
MOSFET (Metal Oxide)
-
700mA (Ta)
1.2V, 4.5V
500mOhm @ 500mA, 4.5V
1V @ 1mA
-
±10V
48 pF @ 10 V
500mW (Ta)
CST3C
-
SSM3J64CTC,L3F
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
P-Channel
SC-101, SOT-883
150°C
12 V
-
U-MOSVII
MOSFET (Metal Oxide)
-
1A (Ta)
1.2V, 4.5V
370mOhm @ 600mA, 4.5V
1V @ 1mA
-
±10V
50 pF @ 10 V
500mW (Ta)
CST3C
-
SSM3J35CTC,L3F
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
P-Channel
SC-101, SOT-883
150°C (TJ)
20 V
-
U-MOSVII
MOSFET (Metal Oxide)
-
250mA (Ta)
1.2V, 4.5V
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
42 pF @ 10 V
500mW (Ta)
CST3C
-
SSM6K504NU,LF
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
N-Channel
6-WDFN Exposed Pad
150°C (TJ)
30 V
-
U-MOSVII
MOSFET (Metal Oxide)
-
9A (Ta)
4.5V, 10V
19.5mOhm @ 4A, 10V
2.5V @ 100µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
620 pF @ 15 V
1.25W (Ta)
6-UDFNB (2x2)
-
SSM3J35AMFV,L3F
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
P-Channel
SOT-723
150°C
20 V
-
U-MOSVII
MOSFET (Metal Oxide)
-
250mA (Ta)
1.2V, 4.5V
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
42 pF @ 10 V
150mW (Ta)
VESM
-
SSM3J35AFS,LF
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90 可用
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发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
P-Channel
SC-75, SOT-416
150°C
20 V
-
U-MOSVII
MOSFET (Metal Oxide)
-
250mA (Ta)
1.2V, 4.5V
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
42 pF @ 10 V
150mW (Ta)
SSM
-
SSM3J358R,LF
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48,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
P-Channel
SOT-23-3 Flat Leads
150°C (TJ)
20 V
-
U-MOSVII
MOSFET (Metal Oxide)
-
6A (Ta)
1.8V, 8V
22.1mOhm @ 6A, 8V
1V @ 1mA
38.5 nC @ 8 V
±10V
1331 pF @ 10 V
1W (Ta)
SOT-23F
-
SSM6J511NU,LF
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2,917 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
P-Channel
6-WDFN Exposed Pad
-55°C ~ 150°C (TJ)
12 V
-
U-MOSVII
MOSFET (Metal Oxide)
-
14A (Ta)
-
9.1mOhm @ 4A, 8V
1V @ 1mA
47 nC @ 4.5 V
-
3350 pF @ 6 V
-
6-UDFNB (2x2)
-
SSM6J512NU,LF
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
P-Channel
6-WDFN Exposed Pad
150°C (TJ)
12 V
-
U-MOSVII
MOSFET (Metal Oxide)
-
10A (Ta)
1.8V, 8V
16.2mOhm @ 4A, 8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
1.25W (Ta)
6-UDFNB (2x2)
-
SSM3J355R,LF
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
P-Channel
SOT-23-3 Flat Leads
150°C (TJ)
20 V
-
U-MOSVII
MOSFET (Metal Oxide)
-
6A (Ta)
1.8V, 4.5V
30.1mOhm @ 4A, 4.5V
1V @ 1mA
16.6 nC @ 4.5 V
±10V
1030 pF @ 10 V
1W (Ta)
SOT-23F
-
SSM3J338R,LF
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
P-Channel
SOT-23-3 Flat Leads
150°C (TJ)
12 V
-
U-MOSVII
MOSFET (Metal Oxide)
-
6A (Ta)
1.8V, 8V
17.6mOhm @ 6A, 8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
1W (Ta)
SOT-23F
-

关于  单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。