EP 系列, RF FET,MOSFET

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EP
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesMounting TypePackage / CaseSupplier Device PackageCurrent Rating (Amps)Noise FigureConfigurationGradeFrequencyVoltage - RatedGainVoltage - TestCurrent - TestPower - OutputQualificationTechnology
1011GN-125EP
PALLET, GAN, 1030/1090 MHZ, 125W
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
EP
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Module
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1.03GHz ~ 1.09GHz
125 V
18.75dB
50 V
60 mA
150W
-
HEMT
1011GN-30EP
PALLET, GAN, 1030-1090 MHZ, 30W,
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
EP
-
Module
-
-
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-
1.03GHz ~ 1.09GHz
150 V
18.5dB
50 V
40 mA
35W
-
GaN
0912GN-15EP
PALLET, GAN, 960-1215 MHZ, 15W,
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
EP
-
Module
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-
-
-
960MHz ~ 1.215GHz
150 V
18.1dB
50 V
10 mA
19W
-
GaN

关于  RF FET,MOSFET

射频晶体管、场效应晶体管(FET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种具有三个端子的半导体器件,其内部电流流动由电场调节。这些器件专门用于在射频范围内工作的设备中,是射频应用中不可或缺的组件。在这个器件系列中,有各种类型的晶体管,用于信号和功率的放大或开关,包括增强型高电子迁移率晶体管(E-pHEMT)、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅、2个N沟道和4个N沟道晶体管。 这些半导体器件在电子系统中实现了对射频信号的操控和控制,发挥着至关重要的作用。通过利用射频晶体管、FET和MOSFET的独特特性,工程师和设计师可以实现对射频信号的高效放大和开关,满足无线通信、雷达系统、射频识别和其他射频中心应用的严格要求。 该器件系列提供了广泛的晶体管类型,以满足射频应用中特定的性能、功率和频率要求,反映了个性化解决方案的需求。无论是高频、高功率放大、低噪声信号处理还是高效功率开关,这些专业化的晶体管类型为工程师提供了灵活性和多功能性,以优化射频系统的性能。 总而言之,射频晶体管、FET和MOSFET是为射频应用而设计的重要半导体器件,具有各种晶体管类型,用于信号放大和功率开关。它们的应用可以精确管理和控制电子系统中的射频信号,满足无线通信、雷达和射频识别应用的多样化需求。