Z-MOS™ 系列, RF FET,MOSFET

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Z-MOS™
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IXZ210N50L2
RF MOSFET N-CHANNEL DE275
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Z-MOS™
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DE275
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MOSFET
IXZ2210N50L2
RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275
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Z-MOS™
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8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
10A
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2 N-Channel (Dual)
MOSFET
IXZ316N60
RF MOSFET N-CHANNEL DE375
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Z-MOS™
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18A
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DE375
600 V
100 V
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N-Channel
MOSFET
IXZH10N50L2A
RF MOSFET N-CHANNEL TO-247
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TO-247-3
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70MHz
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100 V
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MOSFET
IXZ308N120
RF MOSFET N-CHANNEL DE375
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DE375
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100 V
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MOSFET
IXZ318N50
RF MOSFET N-CHANNEL
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Z-MOS™
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6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
19A
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65MHz
23dB
DE375
500 V
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880W
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N-Channel
MOSFET
IXZR08N120
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
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Z-MOS™
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TO-247-3
8A
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65MHz
23dB
PLUS247™-3
1200 V
100 V
250W
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N-Channel
MOSFET
IXZR08N120A-00
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
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Z-MOS™
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TO-247-3
8A
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65MHz
23dB
PLUS247™-3
1200 V
100 V
250W
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N-Channel
MOSFET
IXZH10N50L2B
RF MOSFET N-CHANNEL TO-247
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Z-MOS™
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TO-247-3
10A
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70MHz
17dB
TO-247 (IXFH)
500 V
100 V
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N-Channel
MOSFET
IXZR08N120B-00
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
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TO-247-3
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100 V
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N-Channel
MOSFET
IXZR16N60
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
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Z-MOS™
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PLUS247™-3
600 V
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N-Channel
MOSFET
IXZR18N50
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
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N-Channel
MOSFET
IXZR18N50A-00
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
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N-Channel
MOSFET
IXZR18N50B-00
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
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500 V
100 V
350W
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N-Channel
MOSFET

关于  RF FET,MOSFET

射频晶体管、场效应晶体管(FET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种具有三个端子的半导体器件,其内部电流流动由电场调节。这些器件专门用于在射频范围内工作的设备中,是射频应用中不可或缺的组件。在这个器件系列中,有各种类型的晶体管,用于信号和功率的放大或开关,包括增强型高电子迁移率晶体管(E-pHEMT)、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅、2个N沟道和4个N沟道晶体管。 这些半导体器件在电子系统中实现了对射频信号的操控和控制,发挥着至关重要的作用。通过利用射频晶体管、FET和MOSFET的独特特性,工程师和设计师可以实现对射频信号的高效放大和开关,满足无线通信、雷达系统、射频识别和其他射频中心应用的严格要求。 该器件系列提供了广泛的晶体管类型,以满足射频应用中特定的性能、功率和频率要求,反映了个性化解决方案的需求。无论是高频、高功率放大、低噪声信号处理还是高效功率开关,这些专业化的晶体管类型为工程师提供了灵活性和多功能性,以优化射频系统的性能。 总而言之,射频晶体管、FET和MOSFET是为射频应用而设计的重要半导体器件,具有各种晶体管类型,用于信号放大和功率开关。它们的应用可以精确管理和控制电子系统中的射频信号,满足无线通信、雷达和射频识别应用的多样化需求。