BLP 系列, RF FET,MOSFET

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BLP
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesMounting TypeNoise FigureConfigurationFrequencyGradeGainVoltage - TestCurrent Rating (Amps)Current - TestPower - OutputVoltage - RatedPackage / CaseSupplier Device PackageQualificationTechnology
BLP15M9S100Z
BLP15M9S100/SOT1482/REELDP
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BLP
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32 V
1.4µA
400 mA
100W
65 V
SOT-1482-1
SOT-1482-1
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LDMOS
BLP15M9S100GZ
BLP15M9S100G/SOT1483/REELDP
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BLP
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1.4GHz
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18dB
32 V
1.4µA
900 mA
100W
65 V
SOT-1483-1
SOT1483-1
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LDMOS
BLP9LA25SGZ
BLP9LA25SG/SOT1483/REELDP
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BLP
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1MHz ~ 941MHz
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13.6 V
SOT-1483-1
SOT1483-1
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LDMOS
BLP9LA25SZ
BLP9LA25S/SOT1482/REELDP
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BLP
Surface Mount
-
-
1MHz ~ 941MHz
-
18.4dB
-
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25W
13.6 V
SOT-1482-1
SOT-1482-1
-
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BLP15H9S10Z
BLP15H9S10/SOT1482/REELDP
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BLP
Surface Mount
-
Dual, Common Source
1.4GHz
-
22dB
50 V
1.4µA
60 mA
10W
104 V
SOT-1482-1
SOT-1482-1
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LDMOS
BLP15H9S30GZ
BLP15H9S30G/SOT1483/REELDP
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BLP
Surface Mount
-
-
1MHz ~ 1.5GHz
-
17dB
-
-
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30W
50 V
SOT-1483-1
SOT1483-1
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LDMOS
BLP5LA55SZ
BLP5LA55S/SOT1482/REELDP
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLP
Surface Mount
-
-
520MHz
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19.6dB
15 V
1.4µA
893 mA
55W
30 V
SOT-1482-1
SOT-1482-1
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LDMOS
BLP9H10S-850AVTY
BLP9H10S-850AVTY/OMP-1230/REELD
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BLP
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Dual, Common Source
617MHz ~ 960MHz
-
17.8dB
50 V
2.8µA
1.4 A
850W
105 V
OMP-1230-6F-1
OMP-1230-6F-1
-
LDMOS
BLP9H10S-500AWTY
BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP
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BLP
Surface Mount
-
Dual
600MHz ~ 960MHz
-
18.3dB
300 mV
1.4µA
500 mA
500W
105 V
OMP-780-6F-1
OMP-780-6F-1
-
LDMOS
BLP15H9S100GZ
BLP15H9S100G/SOT1483/REELDP
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BLP
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-
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1MHz ~ 1.5GHz
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17dB
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100W
50 V
SOT-1483-1
SOT1483-1
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LDMOS
BLP15H9S10GZ
BLP15H9S10G/SOT1483/REELDP
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BLP
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Dual, Common Source
1.4GHz
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104 V
SOT-1483-1
SOT1483-1
-
LDMOS

关于  RF FET,MOSFET

射频晶体管、场效应晶体管(FET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种具有三个端子的半导体器件,其内部电流流动由电场调节。这些器件专门用于在射频范围内工作的设备中,是射频应用中不可或缺的组件。在这个器件系列中,有各种类型的晶体管,用于信号和功率的放大或开关,包括增强型高电子迁移率晶体管(E-pHEMT)、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅、2个N沟道和4个N沟道晶体管。 这些半导体器件在电子系统中实现了对射频信号的操控和控制,发挥着至关重要的作用。通过利用射频晶体管、FET和MOSFET的独特特性,工程师和设计师可以实现对射频信号的高效放大和开关,满足无线通信、雷达系统、射频识别和其他射频中心应用的严格要求。 该器件系列提供了广泛的晶体管类型,以满足射频应用中特定的性能、功率和频率要求,反映了个性化解决方案的需求。无论是高频、高功率放大、低噪声信号处理还是高效功率开关,这些专业化的晶体管类型为工程师提供了灵活性和多功能性,以优化射频系统的性能。 总而言之,射频晶体管、FET和MOSFET是为射频应用而设计的重要半导体器件,具有各种晶体管类型,用于信号放大和功率开关。它们的应用可以精确管理和控制电子系统中的射频信号,满足无线通信、雷达和射频识别应用的多样化需求。