BLC 系列, RF FET,MOSFET

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BLC
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesMounting TypeNoise FigureGradeGainFrequencyVoltage - TestCurrent Rating (Amps)Current - TestPower - OutputVoltage - RatedPackage / CaseSupplier Device PackageConfigurationQualificationTechnology
BLC10G22XS-570AVTZ
BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/TRAY
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLC
Surface Mount
-
-
15.7dB
2.11GHz ~ 2.18GHz
30 V
2.8µA
1.15 A
570W
65 V
SOT-1258-4
SOT1258-4
Dual, Common Source
-
LDMOS
BLC9G22XS-120AGWTZ
BLC9G22XS-120AGWT/SOT1278/TRAYDP
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLC
Surface Mount
-
-
17.1dB
2.11GHz ~ 2.2GHz
28 V
1.4µA
200 mA
120W
65 V
SOT-1278-1
SOT1278-1
Dual, Common Source
-
LDMOS
BLC2425M9XS250Z
RF TRANSISTOR 250W SOT SMD
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLC
Surface Mount
-
-
18dB
2.4GHz ~ 2.5GHz
-
-
-
-
32 V
SOT-1270-1
SOT-1270-1
-
-
-
BLC10G19LS-250WT
RF LDMOS TRANS 250W SOT1271-2
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLC
Surface Mount
-
-
19.3dB
1.93GHz ~ 1.99GHz
28 V
1.4µA
1.4 A
250W
65 V
SOT-1271-2
SOT1271-2
-
-
LDMOS
BLC10G22XS-401AVTY
BLC10G22XS-401AVTY/SOT1275/REELD
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLC
Chassis Mount
-
-
15dB
2.11GHz ~ 2.2GHz
32 V
1.4µA
1.085 A
400W
65 V
SOT-1275-1
DFM6
Dual, Common Source
-
LDMOS
BLC10G18XS-600AVTZ
BLC10G18XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLC
Surface Mount
-
-
15.4dB
1.805GHz ~ 1.88GHz
30 V
2.8µA
800 mA
600W
65 V
SOT-1258-4
SOT1258-4
Dual, Common Source
-
LDMOS
BLC10G19LS-250WTZ
BLC10G19LS-250WT/SOT1471/TRAYDP
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLC
Surface Mount
-
-
19.3dB
1.93GHz ~ 1.99GHz
28 V
1.4µA
1.4 A
250W
65 V
SOT-1271-2
SOT1271-2
-
-
LDMOS
BLC10G27XS-400AVTZ
BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/TRAY
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLC
Surface Mount
-
-
13.3dB
2.496GHz ~ 2.69GHz
28 V
2.8µA
750 mA
400W
65 V
SOT-1258-4
SOT1258-4
Dual, Common Source
-
LDMOS
BLC10G15XS-301AVTZ
BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAYDP
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLC
Chassis Mount
-
-
18dB
1.452GHz ~ 1.492GHz
30 V
1.4µA
300 mA
305W
65 V
SOT-1275-1
DFM6
Dual, Common Source
-
LDMOS
BLC8G27LS-140AV518-AMP
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLC
Chassis Mount
-
-
14.5dB
2.496GHz ~ 2.69GHz
28 V
1.4µA
320 mA
140W
65 V
SOT-1275-1
SOT-1275-1
Dual, Common Source
-
LDMOS
BLC10G22XS-301AVTZ
BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAYDP
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLC
Chassis Mount
-
-
15dB
2.11GHz ~ 2.17GHz
-
1.4µA
-
350W
65 V
SOT-1275-1
DFM6
-
-
LDMOS

关于  RF FET,MOSFET

射频晶体管、场效应晶体管(FET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种具有三个端子的半导体器件,其内部电流流动由电场调节。这些器件专门用于在射频范围内工作的设备中,是射频应用中不可或缺的组件。在这个器件系列中,有各种类型的晶体管,用于信号和功率的放大或开关,包括增强型高电子迁移率晶体管(E-pHEMT)、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅、2个N沟道和4个N沟道晶体管。 这些半导体器件在电子系统中实现了对射频信号的操控和控制,发挥着至关重要的作用。通过利用射频晶体管、FET和MOSFET的独特特性,工程师和设计师可以实现对射频信号的高效放大和开关,满足无线通信、雷达系统、射频识别和其他射频中心应用的严格要求。 该器件系列提供了广泛的晶体管类型,以满足射频应用中特定的性能、功率和频率要求,反映了个性化解决方案的需求。无论是高频、高功率放大、低噪声信号处理还是高效功率开关,这些专业化的晶体管类型为工程师提供了灵活性和多功能性,以优化射频系统的性能。 总而言之,射频晶体管、FET和MOSFET是为射频应用而设计的重要半导体器件,具有各种晶体管类型,用于信号放大和功率开关。它们的应用可以精确管理和控制电子系统中的射频信号,满足无线通信、雷达和射频识别应用的多样化需求。