GaN 系列, RF FET,MOSFET

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GaN
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesCurrent Rating (Amps)GainNoise FigureFrequencyTransistor TypeVoltage - TestCurrent - TestPower - OutputVoltage - RatedPackage / CaseSupplier Device Package
CGH55030F2
RF MOSFET HEMT 28V 440166
1+
¥1350.0000
5+
¥1275.0000
10+
¥1200.0000
数量
180 个有现货
可以立即发货
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
-
11dB
-
4.5GHz ~ 6GHz
HEMT
28 V
250 mA
30W
84 V
440166
440166
CGHV27200F
RF MOSFET HEMT 50V 440162
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
12A
15dB ~ 16dB
-
2.5GHz ~ 2.7GHz
HEMT
50 V
1 A
200W
50 V
440162
440162
CGHV27100F
RF MOSFET HEMT 50V 440162
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
6A
18dB
-
2.5GHz ~ 2.7GHz
HEMT
50 V
500 mA
100W
50 V
440162
440162
CGHV22200F
RF MOSFET HEMT 50V 440162
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
12A
18dB
-
1.8GHz ~ 2.2GHz
HEMT
50 V
1 A
200W
125 V
440162
440162
CGHV22100F
RF MOSFET HEMT 50V 440162
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
6A
20dB
-
1.8GHz ~ 2.2GHz
HEMT
50 V
500 mA
100W
125 V
440162
440162
CGH55015F1
RF MOSFET HEMT 28V 440196
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
1.5A
11dB
-
5.5GHz ~ 5.8GHz
HEMT
28 V
115 mA
15W
84 V
440196
440196
CGH60008D-GP4
1+
¥594.0000
5+
¥561.0000
10+
¥528.0000
数量
400 个有现货
可以立即发货
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
-
15dB
-
6GHz
28 V
100 mA
8W
84 V
Die
Die
CGHV59070F
RF MOSFET HEMT 50V 440224
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1 个有现货
可以立即发货
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
-
13.3dB
-
4.4GHz ~ 5.9GHz
50 V
150 mA
76W
150 V
440224
440224
CGHV35400F
RF MOSFET HEMT 45V 440210
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
24A
11dB
-
2.9GHz ~ 3.5GHz
45 V
500 mA
455W
125 V
440210
440210
CGHV1J025D-GP4
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
-
17dB
-
18GHz
40 V
120 mA
25W
100 V
Die
Die
CGH35030F
30W GAN HEMT 28V 6.0GHZ FLANGE
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
-
11.5dB
-
3.3GHz ~ 3.9GHz
28 V
120 mA
30W
84 V
440166
440166
CGH27030P
30W, GAN HEMT, 28V, DC-6.0GHZ, P
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
-
14.5dB
-
2.3GHz ~ 2.9GHz
28 V
150 mA
30W
84 V
440196
440196
CGH27015P
15W, GAN HEMT, 28V, DC-6.0GHZ, P
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
-
15dB
-
2.3GHz ~ 2.9GHz
28 V
100 mA
15W
84 V
440196
440196
GTVA220701FA-V1-R0
RF SIC HEMT 70W,1805 - 2170MHZ
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
-
22dB
-
1.805GHz ~ 2.17GHz
48 V
200 mA
70W
125 V
H-37265J-2
H-37265J-2
CGH27015F
RF MOSFET HEMT 28V 440166
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
-
15dB
-
3GHz
28 V
100 mA
15W
84 V
440166
440166
CGH40090PP
RF MOSFET HEMT 28V 440199
1+
¥4680.0000
5+
¥4420.0000
10+
¥4160.0000
数量
244 个有现货
可以立即发货
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
28A
12.5dB
-
0Hz ~ 4GHz
28 V
1 A
100W
84 V
440199
440199
CGH25120F
120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
-
12.5dB
-
2.3GHz ~ 2.7GHz
28 V
500 mA
130W
84 V
440162
440162
GTVA101K42EV-V1-R0
GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
-
17dB
-
960MHz ~ 1.4GHz
50 V
83.6 mA
1400W
125 V
H-36275-4
H-36275-4
CGH27030S
RF MOSFET HEMT 28V 12DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
-
18.3dB
-
6GHz
28 V
200 mA
30W
84 V
12-VFDFN Exposed Pad
12-DFN (4x3)
CG2H80030D-GP4
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
GaN
-
16.5dB
-
8GHz
28 V
200 mA
30W
84 V
Die
Die

关于  RF FET,MOSFET

射频晶体管、场效应晶体管(FET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种具有三个端子的半导体器件,其内部电流流动由电场调节。这些器件专门用于在射频范围内工作的设备中,是射频应用中不可或缺的组件。在这个器件系列中,有各种类型的晶体管,用于信号和功率的放大或开关,包括增强型高电子迁移率晶体管(E-pHEMT)、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅、2个N沟道和4个N沟道晶体管。 这些半导体器件在电子系统中实现了对射频信号的操控和控制,发挥着至关重要的作用。通过利用射频晶体管、FET和MOSFET的独特特性,工程师和设计师可以实现对射频信号的高效放大和开关,满足无线通信、雷达系统、射频识别和其他射频中心应用的严格要求。 该器件系列提供了广泛的晶体管类型,以满足射频应用中特定的性能、功率和频率要求,反映了个性化解决方案的需求。无论是高频、高功率放大、低噪声信号处理还是高效功率开关,这些专业化的晶体管类型为工程师提供了灵活性和多功能性,以优化射频系统的性能。 总而言之,射频晶体管、FET和MOSFET是为射频应用而设计的重要半导体器件,具有各种晶体管类型,用于信号放大和功率开关。它们的应用可以精确管理和控制电子系统中的射频信号,满足无线通信、雷达和射频识别应用的多样化需求。