PDTD143EQA Series, 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置

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Frequency - Transition
Current - Collector (Ic) (Max)
Resistor - Base (R1)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
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Mounting Type
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
Supplier Device Package
Qualification
Transistor Type
Package / Case
Power - Max
Resistor - Emitter Base (R2)
Current - Collector Cutoff (Max)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
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PDTD143EQA
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Current - Collector (Ic) (Max)Current - Collector Cutoff (Max)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VcePackage / CaseSupplier Device PackageTransistor TypeResistor - Base (R1)Resistor - Emitter Base (R2)Vce Saturation (Max) @ Ib, IcFrequency - TransitionQualificationGradeSeriesPower - Max
PDTD143EQA147
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
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50 V
500 mA
500nA
60 @ 50mA, 5V
3-XDFN Exposed Pad
DFN1010D-3
NPN - Pre-Biased
4.7 kOhms
4.7 kOhms
100mV @ 2.5mA, 50mA
210 MHz
AEC-Q101
Automotive
PDTD143EQA
940 mW

关于  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置

预偏置双极晶体管是专门设计的,具有内部电阻,即使没有输入信号,也可以保持器件接近其偏置或工作点。这种偏置确保晶体管高效运行,并产生稳定、无失真的输出信号。 晶体管偏置对于实现正确的放大和信号重现至关重要。它涉及在晶体管端子上施加适当的直流电压或电流,以建立所需的工作点。通过预偏置晶体管,内部电阻消除了额外的外部电路元件,例如偏置电阻或电压分压器。 预偏置双极晶体管中包含的内部电阻简化了电路设计,降低了整体项目成本。由于需要较少的外部元件,电路布局和组装的复杂性较低。这在大规模生产场景中尤为有利,其中成本效益和效率是关键考虑因素。 预偏置双极晶体管广泛应用于各种应用中,包括音频放大器、信号处理电路和小型电子项目。它们为双极晶体管提供了方便和经济的偏置解决方案,使其对初学者和有经验的电子爱好者都具有可行性。 总而言之,预偏置双极晶体管内置了电阻,可以在不需要额外的外部电路元件的情况下保持器件接近其偏置或工作点。这简化了电路设计并降低了项目成本,使其成为放大和信号处理应用的热门选择。