IT120 Series, 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列

结果:
4
Manufacturer
Series
Supplier Device Package
Package / Case
Frequency - Transition
Mounting Type
Power - Max
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Operating Temperature
Current - Collector (Ic) (Max)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
Grade
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
Qualification
Transistor Type
Current - Collector Cutoff (Max)
结果4
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IT120
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperaturePackage / CaseSupplier Device PackageTransistor TypeCurrent - Collector Cutoff (Max)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VceFrequency - TransitionVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Power - MaxCurrent - Collector (Ic) (Max)SeriesVce Saturation (Max) @ Ib, Ic
IT121 PDIP 8L ROHS
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-DIP
2 NPN (Dual)
1nA (ICBO)
100 @ 1mA, 5V
180MHz
45V
500mW
10mA
IT120
500mV @ 50µA, 500µA
IT121 TO-71 6L ROHS
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C
TO-71-6 Metal Can
TO-71
2 NPN (Dual)
1nA (ICBO)
100 @ 1mA, 5V
180MHz
45V
500mW
10mA
IT120
500mV @ 50µA, 500µA
IT121 SOIC 8L ROHS
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
2 NPN (Dual)
1nA (ICBO)
100 @ 1mA, 5V
180MHz
45V
500mW
10mA
IT120
500mV @ 50µA, 500µA
IT120A SOIC 8L ROHS
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC
2 NPN (Dual)
1nA (ICBO)
225 @ 1mA, 5V
220MHz
45V
500mW
10mA
IT120
500mV @ 50µA, 500µA

晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列

双极晶体管阵列是将两个或多个独立的晶体管集成在一个封装内的电子元件。这些离散的晶体管可以作为独立的单元工作,也可以在封装内相互连接。当阵列内的器件具有密切匹配或互补特性时,阵列的封装结构有助于在操作过程中减小各个晶体管之间的温度差异。 通过将多个晶体管置于共享封装内,双极晶体管阵列提供了几个优点。例如,封装内的紧凑设计和互连可以简化电路板布局和组装。此外,集成晶体管之间的密切匹配或互补特性确保了一致的性能,并最小化了操作中的变化,特别是对温度变化的响应。 双极晶体管阵列在需要精确控制、均匀性和热稳定性至关重要的应用中具有益处。常见应用包括模拟信号处理、精密电压参考和电流镜等。 总之,双极晶体管阵列将两个或多个离散的晶体管集成到一个共享封装中,并具有它们之间的互连潜力。当集成晶体管具有密切匹配或互补特性时,阵列的封装结构可以减小操作过程中的温度变化,使其非常适合需要一致性性能和热稳定性的应用。