QFET® Series, 专用IC

结果:
2
Manufacturer
Series
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Mounting Type
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Supplier Device Package
Vgs(th) (Max) @ Id
Drain to Source Voltage (Vdss)
Power Dissipation (Max)
Package / Case
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Vgs (Max)
Operating Temperature
FET Feature
FET Type
Grade
Qualification
Technology
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
结果2
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QFET®
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseSupplier Device PackageGradeTechnologySeriesFET FeatureCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CVgs(th) (Max) @ IdDrain to Source Voltage (Vdss)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
FQA11N90C-F109
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
5+
¥60.0000
10+
¥56.0000
15+
¥54.0000
数量
1,800 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-3P-3, SC-65-3
TO-3P
-
MOSFET (Metal Oxide)
QFET®
-
11A (Tc)
5V @ 250µA
900 V
10V
1.1Ohm @ 5.5A, 10V
80 nC @ 10 V
±30V
3290 pF @ 25 V
300W (Tc)
-
FQT7N10TF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-261-4, TO-261AA
SOT-223-4
-
MOSFET (Metal Oxide)
QFET®
-
1.7A (Tc)
4V @ 250µA
100 V
10V
350mOhm @ 850mA, 10V
7.5 nC @ 10 V
±25V
250 pF @ 25 V
2W (Tc)
-

关于  专用IC

专用集成电路(IC),也称为应用特定集成电路(ASIC),是一类旨在在电子系统内执行特定功能的集成电路。这些IC是量身定制以满足特定应用、行业或任务的独特需求,在其特定领域提供了优化的性能和功能。 专用IC的开发重点是满足特定应用的精确需求,而不是提供通用功能。它们通常是定制设计的,用于执行信号处理、数据加密、传感器接口、电机控制等专门任务。这种有针对性的方法允许将复杂的功能集成到单个芯片上,从而实现增强的性能、降低的功耗和优化的系统级设计。 这些IC通常用于广泛的行业,包括电信、汽车电子、消费电子、医疗设备、航空航天和工业自动化。专用IC的示例包括定制微控制器、应用特定处理器、传感器接口IC和定制模拟和数字信号处理电路。 通过将IC的功能量身定制到特定应用的要求上,专用IC可以提供改进的性能、降低的系统复杂度、较低的功耗和成本效益等优势。这种有针对性的优化使它们成为各个行业中开发先进电子系统的关键组件。 总之,专用集成电路(IC)是定制设计的微型芯片,用于在电子系统内执行特定功能,为目标应用和行业提供优化的性能和功能。