DrMOS 系列, 功率驱动器模块

功率驱动模块在电力电子系统中发挥着至关重要的作用，为功率元件提供了物理封装，通常包括绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。这些模块旨在适应各种功率半导体器件的配置，例如半桥或一、二、三相设置。 功率半导体器件或芯片使用焊接或烧结技术牢固地连接到模块内的基板上。基板不仅确保机械支撑，还在功率半导体器件和外部系统之间建立电气和热连接。在必要时，它还提供电气绝缘，以防止不必要的电气相互作用。 功率驱动模块比单个功率元件具有几个优点。它们实现了更高的功率密度，可在电子系统中更有效地利用有限的空间。此外，它们通过为功率半导体器件提供紧凑且受保护的环境，使其免受可能影响其性能的环境因素的影响，从而增强了可靠性。 功率模块的另一个好处是其改进的散热能力。这些模块的设计通常包括高效的散热装置，例如集成散热片或导热材料。这有助于缓解与高功率操作相关的热问题，确保功率电子系统的最佳性能和寿命。 总之，功率驱动模块可作为功率元件的物理封装，便于在各种配置中集成IGBT和MOSFET。与单个功率元件相比，这些模块具有更高的功率密度、更高的可靠性和改进的散热能力。通过提供电气和热连接以及确保绝缘，功率模块有助于实现功率电子系统的高效、可靠运行。