光学传感器 - 光检测器 - CdS 电池

结果:
75
Manufacturer
Series
Cell Resistance @ Illuminance
Cell Resistance (Min) @ Dark
Voltage - Max
Rise Time (Typ)
Wavelength
Operating Temperature
Fall Time (Typ)
Supplier Device Package
Package / Case
Mounting Type
结果75
选择
图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesSupplier Device PackageMounting TypePackage / CaseWavelengthVoltage - MaxRise Time (Typ)Fall Time (Typ)Cell Resistance (Min) @ DarkCell Resistance @ IlluminanceOperating Temperature
PDV-P9203
CDS PHOTORES 10K-30KOHM 4.20MM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
Through Hole
Radial
520nm
150Vpk
70 ms
15 ms
5 MOhms @ 10 s
10 ~ 30kOhms @ 10 lux
-30°C ~ 75°C (TA)
NSL-4140
CDS PHOTORESISTOR 250OHM TO-18
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
TO-18
Through Hole
Radial
550nm
100Vpk
-
-
800 kOhms @ 5 s
8.4 ~ 19.6kOhms @ 10 lux
-60°C ~ 75°C (TA)
NSL-4960
CDS PHOTORESISTOR
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
TO-8
Through Hole
Radial
515nm
320Vpk
-
-
1 MOhms @ 5 s
0.5 ~ 17kOhms @ 10 lux
-60°C ~ 75°C (TA)
PDV-P9006
CDS PHOTORES 80K-200KOHM 4.20MM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
Through Hole
Radial
520nm
150Vpk
60 ms
25 ms
5 MOhms @ 10 s
80 ~ 200kOhms @ 10 lux
-30°C ~ 75°C (TA)
PDV-P9002-1
CDS PHOTORES 11K-27KOHM 4.20MM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
Through Hole
Radial
520nm
150Vpk
60 ms
25 ms
500 kOhms @ 10 s
11 ~ 27kOhms @ 10 lux
-30°C ~ 75°C (TA)
PDV-P9001
CDS PHOTORESIST 4K-11KOHM 4.20MM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
Through Hole
Radial
520nm
150Vpk
60 ms
25 ms
300 kOhms @ 10 s
4 ~ 11kOhms @ 10 lux
-25°C ~ 75°C (TA)
PDV-P8101
CDS PHOTORESIST 4K-11KOHM 5.10MM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
Through Hole
Radial
520nm
150Vpk
55 ms
20 ms
150 kOhms @ 10 s
4 ~ 11kOhms @ 10 lux
-30°C ~ 75°C (TA)
NSL-5510
CDS PHOTORES TYPE 5 FLAT TO-5
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
TO-5
Through Hole
Radial
550nm
120Vpk
-
-
220 kOhms @ 5 s
2.2 ~ 4.4kOhms @ 21 lux
-60°C ~ 75°C (TA)
PDV-P8102
CDS PHOTORESIST 9K-20KOHM 5.10MM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
Through Hole
Radial
520nm
150Vpk
60 ms
25 ms
300 kOhms @ 10 s
9 ~ 20kOhms @ 10 lux
-30°C ~ 75°C (TA)
PDV-P2001
CDS PHOTORES 100K-200KOHM .89MM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
Through Hole
Radial
-
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100 ~ 200kOhms @ 10 lux
-
PDV-P7003
CDS PHOTORESIST 8K-24KOHM 7.2MM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
Through Hole
Radial
520nm
350VDC
55 ms
20 ms
500 kOhms @ 10 s
8 ~ 24kOhms @ 10 lux
-
PDV-P7004
CDS PHOTORESIST 15K-60KOHM 7.2MM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
Through Hole
Radial
520nm
350VDC
60 ms
25 ms
500 kOhms @ 10 s
15 ~ 60kOhm @ 10 lux
-
350-00009
PHOTORESISTOR FOR BASIC STAMP
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
Through Hole
Radial
-
100Vpk
35 ms
5 ms
1 MOhms @ 5 s
20 ~ 38kOhms @ 10 lux
-40°C ~ 75°C (TA)
SEN-09088
MINI PHOTOCELL
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
Radial
Through Hole
Radial
540nm
150V
-
-
1 MOhms @ 10 s
8 ~ 20kOhms @ 10 lux
-30°C ~ 70°C (TA)
PART PHOTORESISTOR
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光学传感器 - 光检测器 - CdS 电池

硫化镉(CdS)光探测器,通常被称为光电阻、光敏电阻或光电导电池,是一种半导体器件,其电阻值取决于入射光的强度。这些器件广泛应用于需要光探测和控制的应用中。 CdS光探测器的基本工作原理基于光电导效应。在无光照射时,CdS材料具有较高的电阻,限制电流的流动。但是,当暴露在光线下时,光子会激发CdS中的电子,使它们移动并降低材料的电阻。因此,该器件作为受光控制的可变电阻器。 光电阻器的选择基于各种特性,包括电池电阻、最大电压和上升/下降时间。电池电阻确定器件在暗处的初始电阻,而最大电压指定可施加在光电阻上的最高电压,而不会损坏它。上升/下降时间指的是光强度增加或减少时电阻变化的速度。 这些光探测器在众多领域中应用广泛,包括光感应、自动照明控制、防盗报警、相机曝光控制和机器人技术等。它们能够检测并响应光强度的变化,使其在需要根据环境光条件进行自动调整或触发的情况下非常有用。 总之,CdS光探测器,也称为光电阻或光敏电阻,是一种半导体器件,其电阻值取决于入射光的强度。它们基于光电导效应工作,电阻值随着光强度的增加而减小。光电阻器的选择基于特性,如电池电阻、最大电压和上升/下降时间。这些器件在光感应、自动控制系统、防盗报警等领域具有众多应用,其光依赖性电阻可实现对环境光照条件的响应性调整。