GSM3ZxxBW Series, 单齐纳二极管

结果:
3
Manufacturer
Series
Current - Reverse Leakage @ Vr
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
Impedance (Max) (Zzt)
Operating Temperature
Tolerance
Grade
Mounting Type
Supplier Device Package
Qualification
Package / Case
Power - Max
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
结果3
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GSM3ZxxBW
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeTolerancePower - MaxOperating TemperatureGradePackage / CaseVoltage - Forward (Vf) (Max) @ IfSupplier Device PackageVoltage - Zener (Nom) (Vz)Impedance (Max) (Zzt)Current - Reverse Leakage @ VrQualificationSeries
GSM3Z5V6BW
DIODE, ZENER, 0.20W, 5.6V, 2%, E
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
±2%
200 mW
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
SC-90, SOD-323F
1 V @ 10 mA
SOD-323F
5.6 V
40 Ohms
900 nA @ 2 V
-
GSM3ZxxBW
GSM3Z3V6BW
DIODE, ZENER, 0.20W, 3.6V, 2%, E
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
±2%
200 mW
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
SC-90, SOD-323F
1 V @ 10 mA
SOD-323F
3.6 V
90 Ohms
4.5 µA @ 1 V
-
GSM3ZxxBW
GSM3Z6V2BW
DIODE, ZENER, 0.20W, 6.2V, 2%, E
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
±2%
200 mW
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
SC-90, SOD-323F
1 V @ 10 mA
SOD-323F
6.2 V
10 Ohms
2.7 µA @ 4 V
-
GSM3ZxxBW

关于  单齐纳二极管

齐纳二极管是一种设计用于反向击穿模式的半导体器件,意味着它们在反向达到特定电压时开始工作。这些二极管根据在此模式下的行为进行特征标识,并常用作电压参考或电压限制器。 除了作为电压参考的主要功能外,齐纳二极管还可以用作电流流动的单向阀门,尽管其在此功能下的性能通常不如专用整流二极管理想。尽管如此,在某些电路中,齐纳二极管仍可作为有效的电流流动调节器。 齐纳二极管系列中的每个器件封装都实现了这一功能的一个实例,使它们在广泛的电子电路应用中非常有用。凭借其独特的反向击穿工作模式和多功能特性,齐纳二极管是许多电子设备中宝贵的组件。 总之,齐纳二极管是设计用于反向击穿模式的,并根据此行为进行特征标识。它们通常用作电压参考或电压限制器,并可用作电流流动调节器。每个器件封装都包含这一功能的一个实例,使齐纳二极管成为各种电子电路应用中多功能的组件。