HPZR-Q 系列, 单齐纳二极管

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HPZR-Q
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesMounting TypeToleranceOperating TemperatureVoltage - Forward (Vf) (Max) @ IfVoltage - Zener (Nom) (Vz)Power - MaxImpedance (Max) (Zzt)Current - Reverse Leakage @ VrPackage / CaseSupplier Device PackageQualificationGrade
HPZR-C26-QX
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HPZR-Q
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HPZR-C19-QX
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2.5 µA @ 10 V
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2.5 µA @ 11 V
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43.46 Ohms
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HPZR-Q
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682 mW
76.32 Ohms
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62.54 Ohms
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1 V @ 100 mA
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16.43 Ohms
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50 V
682 mW
59.36 Ohms
100 nA @ 43 V
SOD-123W
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682 mW
42.4 Ohms
400 µA @ 5 V
SOD-123W
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HPZR-C63-QX
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63 V
682 mW
72.08 Ohms
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SOD-123W
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关于  单齐纳二极管

齐纳二极管是一种设计用于反向击穿模式的半导体器件,意味着它们在反向达到特定电压时开始工作。这些二极管根据在此模式下的行为进行特征标识,并常用作电压参考或电压限制器。 除了作为电压参考的主要功能外,齐纳二极管还可以用作电流流动的单向阀门,尽管其在此功能下的性能通常不如专用整流二极管理想。尽管如此,在某些电路中,齐纳二极管仍可作为有效的电流流动调节器。 齐纳二极管系列中的每个器件封装都实现了这一功能的一个实例,使它们在广泛的电子电路应用中非常有用。凭借其独特的反向击穿工作模式和多功能特性,齐纳二极管是许多电子设备中宝贵的组件。 总之,齐纳二极管是设计用于反向击穿模式的,并根据此行为进行特征标识。它们通常用作电压参考或电压限制器,并可用作电流流动调节器。每个器件封装都包含这一功能的一个实例,使齐纳二极管成为各种电子电路应用中多功能的组件。