BZX8850S-Q 系列, 单齐纳二极管

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BZX8850S-Q
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesMounting TypeToleranceOperating TemperaturePackage / CaseVoltage - Zener (Nom) (Vz)Power - MaxImpedance (Max) (Zzt)Current - Reverse Leakage @ VrVoltage - Forward (Vf) (Max) @ IfSupplier Device PackageQualificationGrade
BZX8850S-C6V2-QYL
BZX8850S-C6V2-Q/SOD882BD/XSON2
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BZX8850S-Q
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±5%
-55°C ~ 150°C (TA)
SOD-882
6.2 V
365 mW
10 Ohms
1 µA @ 5 V
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
AEC-Q101
Automotive
BZX8850S-C7V5-QYL
BZX8850S-C7V5-Q/SOD882BD/XSON2
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BZX8850S-Q
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±5%
-55°C ~ 150°C (TA)
SOD-882
7.5 V
365 mW
15 Ohms
100 nA @ 5.7 V
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
AEC-Q101
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BZX8850S-C4V7-QYL
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BZX8850S-Q
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-55°C ~ 150°C (TA)
SOD-882
4.7 V
365 mW
80 Ohms
5 µA @ 3 V
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
AEC-Q101
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BZX8850S-C5V6-QYL
BZX8850S-C5V6-Q/SOD882BD/XSON2
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BZX8850S-Q
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-55°C ~ 150°C (TA)
SOD-882
5.6 V
365 mW
40 Ohms
2 µA @ 4 V
900 mV @ 10 mA
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BZX8850S-C9V1-QYL
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-55°C ~ 150°C (TA)
SOD-882
9.1 V
365 mW
15 Ohms
100 nA @ 6.9 V
900 mV @ 10 mA
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BZX8850S-C8V2-Q/SOD882BD/XSON2
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8.2 V
365 mW
15 Ohms
100 nA @ 6.2 V
900 mV @ 10 mA
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BZX8850S-C5V1-Q/SOD882BD/XSON2
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BZX8850S-Q
Surface Mount
±5%
-55°C ~ 150°C (TA)
SOD-882
5.1 V
365 mW
60 Ohms
5 µA @ 3 V
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
AEC-Q101
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BZX8850S-C6V8-QYL
BZX8850S-C6V8-Q/SOD882BD/XSON2
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BZX8850S-Q
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-55°C ~ 150°C (TA)
SOD-882
6.8 V
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100 nA @ 5.1 V
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关于  单齐纳二极管

齐纳二极管是一种设计用于反向击穿模式的半导体器件,意味着它们在反向达到特定电压时开始工作。这些二极管根据在此模式下的行为进行特征标识,并常用作电压参考或电压限制器。 除了作为电压参考的主要功能外,齐纳二极管还可以用作电流流动的单向阀门,尽管其在此功能下的性能通常不如专用整流二极管理想。尽管如此,在某些电路中,齐纳二极管仍可作为有效的电流流动调节器。 齐纳二极管系列中的每个器件封装都实现了这一功能的一个实例,使它们在广泛的电子电路应用中非常有用。凭借其独特的反向击穿工作模式和多功能特性,齐纳二极管是许多电子设备中宝贵的组件。 总之,齐纳二极管是设计用于反向击穿模式的,并根据此行为进行特征标识。它们通常用作电压参考或电压限制器,并可用作电流流动调节器。每个器件封装都包含这一功能的一个实例,使齐纳二极管成为各种电子电路应用中多功能的组件。