BZT52-B-Q 系列, 单齐纳二极管

结果:
37
Manufacturer
Series
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
Current - Reverse Leakage @ Vr
Impedance (Max) (Zzt)
Operating Temperature
Tolerance
Grade
Mounting Type
Supplier Device Package
Qualification
Package / Case
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
Power - Max
结果37
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BZT52-B-Q
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesMounting TypeTolerancePackage / CaseSupplier Device PackageOperating TemperaturePower - MaxVoltage - Zener (Nom) (Vz)Impedance (Max) (Zzt)Current - Reverse Leakage @ VrVoltage - Forward (Vf) (Max) @ IfQualificationGrade
BZT52-B51-QX
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BZT52-B-Q
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SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
51 V
100 Ohms
50 nA @ 35.7 V
900 mV @ 10 mA
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BZT52-B11-QX
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BZT52-B-Q
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±2%
SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
11 V
10 Ohms
100 nA @ 8 V
900 mV @ 10 mA
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BZT52-B13-QX
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BZT52-B-Q
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±2%
SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
13 V
10 Ohms
100 nA @ 8 V
900 mV @ 10 mA
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SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
43 V
80 Ohms
50 nA @ 30.1 V
900 mV @ 10 mA
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SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
9.1 V
10 Ohms
500 nA @ 6 V
900 mV @ 10 mA
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BZT52-B-Q
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SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
56 V
120 Ohms
50 nA @ 39.2 V
900 mV @ 10 mA
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BZT52-B62-QX
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BZT52-B-Q
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SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
62 V
140 Ohms
50 nA @ 43.4 V
900 mV @ 10 mA
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SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
10 V
10 Ohms
200 nA @ 7 V
900 mV @ 10 mA
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BZT52-B-Q
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SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
3.3 V
95 Ohms
5 µA @ 1 V
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SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
75 V
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SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
7.5 V
10 Ohms
1 µA @ 5 V
900 mV @ 10 mA
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BZT52-B3V0-QX
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BZT52-B-Q
Surface Mount
±2%
SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
3 V
95 Ohms
10 µA @ 1 V
900 mV @ 10 mA
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BZT52-B4V7-QX
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SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
4.7 V
78 Ohms
3 µA @ 2 V
900 mV @ 10 mA
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BZT52-B12-QX
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BZT52-B-Q
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±2%
SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
12 V
10 Ohms
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900 mV @ 10 mA
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BZT52-B24-QX
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BZT52-B-Q
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SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
24 V
30 Ohms
50 nA @ 16.8 V
900 mV @ 10 mA
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BZT52-B20-QX
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BZT52-B-Q
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±2%
SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
20 V
20 Ohms
50 nA @ 14 V
900 mV @ 10 mA
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BZT52-B30-QX
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BZT52-B-Q
Surface Mount
±2%
SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
30 V
40 Ohms
50 nA @ 21 V
900 mV @ 10 mA
AEC-Q101
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BZT52-B22-QX
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BZT52-B-Q
Surface Mount
±2%
SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
22 V
25 Ohms
50 nA @ 15.4 V
900 mV @ 10 mA
AEC-Q101
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BZT52-B6V8-QX
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BZT52-B-Q
Surface Mount
±2%
SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
6.8 V
8 Ohms
2 µA @ 4 V
900 mV @ 10 mA
AEC-Q101
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BZT52-B8V2-QX
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BZT52-B-Q
Surface Mount
±2%
SOD-123
SOD-123
150°C (TJ)
590 mW
8.2 V
10 Ohms
700 nA @ 5 V
900 mV @ 10 mA
AEC-Q101
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关于  单齐纳二极管

齐纳二极管是一种设计用于反向击穿模式的半导体器件,意味着它们在反向达到特定电压时开始工作。这些二极管根据在此模式下的行为进行特征标识,并常用作电压参考或电压限制器。 除了作为电压参考的主要功能外,齐纳二极管还可以用作电流流动的单向阀门,尽管其在此功能下的性能通常不如专用整流二极管理想。尽管如此,在某些电路中,齐纳二极管仍可作为有效的电流流动调节器。 齐纳二极管系列中的每个器件封装都实现了这一功能的一个实例,使它们在广泛的电子电路应用中非常有用。凭借其独特的反向击穿工作模式和多功能特性,齐纳二极管是许多电子设备中宝贵的组件。 总之,齐纳二极管是设计用于反向击穿模式的,并根据此行为进行特征标识。它们通常用作电压参考或电压限制器,并可用作电流流动调节器。每个器件封装都包含这一功能的一个实例,使齐纳二极管成为各种电子电路应用中多功能的组件。