TZM-M Series, 单齐纳二极管
结果:
76
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Voltage - Zener (Nom) (Vz)
Current - Reverse Leakage @ Vr
Impedance (Max) (Zzt)
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Qualification
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TZM-M
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| 联系我们 | 联系我们 | PCB Symbol, Footprint & 3D Model | Surface Mount | ±5% | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | -65°C ~ 175°C | 500 mW | 3 V | 1.5 V @ 200 mA | SOD-80 MiniMELF | 90 Ohms | 4 µA @ 1 V | AEC-Q101 | Automotive | TZM-M | ||
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关于 单齐纳二极管
齐纳二极管是一种设计用于反向击穿模式的半导体器件，意味着它们在反向达到特定电压时开始工作。这些二极管根据在此模式下的行为进行特征标识，并常用作电压参考或电压限制器。 除了作为电压参考的主要功能外，齐纳二极管还可以用作电流流动的单向阀门，尽管其在此功能下的性能通常不如专用整流二极管理想。尽管如此，在某些电路中，齐纳二极管仍可作为有效的电流流动调节器。 齐纳二极管系列中的每个器件封装都实现了这一功能的一个实例，使它们在广泛的电子电路应用中非常有用。凭借其独特的反向击穿工作模式和多功能特性，齐纳二极管是许多电子设备中宝贵的组件。 总之，齐纳二极管是设计用于反向击穿模式的，并根据此行为进行特征标识。它们通常用作电压参考或电压限制器，并可用作电流流动调节器。每个器件封装都包含这一功能的一个实例，使齐纳二极管成为各种电子电路应用中多功能的组件。
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