BZG03B-M Series, 单齐纳二极管

结果:
140
Manufacturer
Series
Current - Reverse Leakage @ Vr
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
Impedance (Max) (Zzt)
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Supplier Device Package
Package / Case
Power - Max
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
结果140
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BZG03B-M
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypePackage / CaseSupplier Device PackageToleranceOperating TemperaturePower - MaxVoltage - Forward (Vf) (Max) @ IfSeriesVoltage - Zener (Nom) (Vz)Impedance (Max) (Zzt)Current - Reverse Leakage @ VrQualificationGrade
BZG03B150-HM3-08
DIODE ZENER 150V 1.25W DO214AC
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DO-214AC, SMA
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1.2 V @ 500 mA
BZG03B-M
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300 Ohms
1 µA @ 110 V
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BZG03B91-HM3-08
DIODE ZENER 91V 1.25W DO214AC
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DO-214AC, SMA
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1.2 V @ 500 mA
BZG03B-M
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200 Ohms
1 µA @ 68 V
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BZG03B82-HM3-08
DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
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BZG03B-M
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1 µA @ 62 V
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BZG03B68-HM3-08
DIODE ZENER 68V 1.25W DO214AC
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BZG03B-M
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80 Ohms
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BZG03B62-HM3-08
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62 V
80 Ohms
1 µA @ 47 V
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BZG03B200-HM3-18
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BZG03B-M
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500 Ohms
1 µA @ 150 V
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BZG03B18-HM3-18
DIODE ZENER 18V 1.25W DO214AC
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BZG03B-M
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15 Ohms
1 µA @ 13 V
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DO-214AC, SMA
DO-214AC (SMA)
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150°C (TJ)
1.25 W
1.2 V @ 500 mA
BZG03B-M
15 V
10 Ohms
1 µA @ 11 V
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150°C (TJ)
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1.2 V @ 500 mA
BZG03B-M
150 V
300 Ohms
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DIODE ZENER 43V 1.25W DO214AC
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150°C (TJ)
1.25 W
1.2 V @ 500 mA
BZG03B-M
43 V
45 Ohms
1 µA @ 33 V
-
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BZG03B130-HM3-08
DIODE ZENER 130V 1.25W DO214AC
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DO-214AC, SMA
DO-214AC (SMA)
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150°C (TJ)
1.25 W
1.2 V @ 500 mA
BZG03B-M
130 V
300 Ohms
1 µA @ 100 V
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BZG03B12-HM3-18
DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
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DO-214AC, SMA
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150°C (TJ)
1.25 W
1.2 V @ 500 mA
BZG03B-M
12 V
7 Ohms
3 µA @ 9.1 V
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DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
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DO-214AC, SMA
DO-214AC (SMA)
±2%
150°C (TJ)
1.25 W
1.2 V @ 500 mA
BZG03B-M
12 V
7 Ohms
3 µA @ 9.1 V
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BZG03B11-HM3-08
DIODE ZENER 11V 1.25W DO214AC
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DO-214AC, SMA
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150°C (TJ)
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BZG03B-M
11 V
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4 µA @ 8.2 V
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BZG03B110-HM3-08
DIODE ZENER 110V 1.25W DO214AC
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DO-214AC, SMA
DO-214AC (SMA)
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BZG03B-M
110 V
250 Ohms
1 µA @ 82 V
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BZG03B100-HM3-18
DIODE ZENER 100V 1.25W DO214AC
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DO-214AC, SMA
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BZG03B-M
100 V
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1 µA @ 75 V
AEC-Q101
Automotive
BZG03B56-M3-08
DIODE ZENER 56V 1.25W DO214AC
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DO-214AC, SMA
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BZG03B-M
56 V
60 Ohms
1 µA @ 43 V
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BZG03B51-M3-08
DIODE ZENER 51V 1.25W DO214AC
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DO-214AC, SMA
DO-214AC (SMA)
±2%
150°C (TJ)
1.25 W
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BZG03B-M
51 V
60 Ohms
1 µA @ 39 V
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BZG03B47-M3-18
DIODE ZENER 47V 1.25W DO214AC
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DO-214AC, SMA
DO-214AC (SMA)
±2%
150°C (TJ)
1.25 W
1.2 V @ 500 mA
BZG03B-M
47 V
45 Ohms
1 µA @ 36 V
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关于  单齐纳二极管

齐纳二极管是一种设计用于反向击穿模式的半导体器件,意味着它们在反向达到特定电压时开始工作。这些二极管根据在此模式下的行为进行特征标识,并常用作电压参考或电压限制器。 除了作为电压参考的主要功能外,齐纳二极管还可以用作电流流动的单向阀门,尽管其在此功能下的性能通常不如专用整流二极管理想。尽管如此,在某些电路中,齐纳二极管仍可作为有效的电流流动调节器。 齐纳二极管系列中的每个器件封装都实现了这一功能的一个实例,使它们在广泛的电子电路应用中非常有用。凭借其独特的反向击穿工作模式和多功能特性,齐纳二极管是许多电子设备中宝贵的组件。 总之,齐纳二极管是设计用于反向击穿模式的,并根据此行为进行特征标识。它们通常用作电压参考或电压限制器,并可用作电流流动调节器。每个器件封装都包含这一功能的一个实例,使齐纳二极管成为各种电子电路应用中多功能的组件。