TrenchMOS™ 系列, 单齐纳二极管

结果:
24
Manufacturer
Series
Tolerance
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
Current - Reverse Leakage @ Vr
Impedance (Max) (Zzt)
Operating Temperature
Grade
Mounting Type
Supplier Device Package
Qualification
Package / Case
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
Power - Max
结果24
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TrenchMOS™
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesMounting TypeToleranceOperating TemperatureGradeCurrent - Reverse Leakage @ VrPackage / CaseVoltage - Zener (Nom) (Vz)Power - MaxImpedance (Max) (Zzt)Voltage - Forward (Vf) (Max) @ IfSupplier Device PackageQualification
BZX884S-B3V0YL
DIODE ZENER 3V 365MW DFN1006BD-2
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±2%
150°C (TJ)
-
10 µA @ 1 V
SOD-882
3 V
365 mW
95 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-B4V7YL
DIODE ZENER 4.7V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±1.91%
150°C (TJ)
-
3 µA @ 1 V
SOD-882
4.7 V
365 mW
80 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-B3V6YL
DIODE ZENER 3.6V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±1.94%
150°C (TJ)
-
5 µA @ 1 V
SOD-882
3.6 V
365 mW
90 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-B6V2YL
DIODE ZENER 6.2V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±1.94%
150°C (TJ)
-
3 µA @ 4 V
SOD-882
6.2 V
365 mW
10 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-B6V8YL
DIODE ZENER 6.8V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±2.06%
150°C (TJ)
-
2 µA @ 4 V
SOD-882
6.8 V
365 mW
15 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-B2V4YL
DIODE ZENER 2.4V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±2.08%
150°C (TJ)
-
50 µA @ 1 V
SOD-882
2.4 V
365 mW
100 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-B4V3YL
DIODE ZENER 4.3V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±2.09%
150°C (TJ)
-
3 µA @ 1 V
SOD-882
4.3 V
365 mW
90 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-B5V1YL
DIODE ZENER 5.1V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±1.96%
150°C (TJ)
-
2 µA @ 2 V
SOD-882
5.1 V
365 mW
60 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-B5V6YL
DIODE ZENER 5.6V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±1.96%
150°C (TJ)
-
1 µA @ 2 V
SOD-882
5.6 V
365 mW
40 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-B3V3YL
DIODE ZENER 3.3V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±2.12%
150°C (TJ)
-
5 µA @ 1 V
SOD-882
3.3 V
365 mW
95 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-B3V9YL
DIODE ZENER 3.9V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±2.05%
150°C (TJ)
-
3 µA @ 1 V
SOD-882
3.9 V
365 mW
90 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-B2V7YL
DIODE ZENER 2.7V 365MW 2DFN
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TrenchMOS™
Surface Mount
±1.85%
150°C (TJ)
-
20 µA @ 1 V
SOD-882
2.7 V
365 mW
100 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-C4V7YL
DIODE ZENER 4.7V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±6.38%
150°C (TJ)
-
3 µA @ 1 V
SOD-882
4.7 V
365 mW
80 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-C3V6YL
DIODE ZENER 3.6V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±5.56%
150°C (TJ)
-
5 µA @ 1 V
SOD-882
3.6 V
365 mW
90 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-C3V0YL
DIODE ZENER 3V 365MW DFN1006BD-2
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±6.67%
150°C (TJ)
-
10 µA @ 1 V
SOD-882
3 V
365 mW
95 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-C2V7YL
DIODE ZENER 2.7V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±7.04%
150°C (TJ)
-
20 µA @ 1 V
SOD-882
2.7 V
365 mW
100 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-C5V1YL
DIODE ZENER 5.1V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±5.88%
150°C (TJ)
-
2 µA @ 2 V
SOD-882
5.1 V
365 mW
60 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-C4V3YL
DIODE ZENER 4.3V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±6.98%
150°C (TJ)
-
3 µA @ 1 V
SOD-882
4.3 V
365 mW
90 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-C3V9YL
DIODE ZENER 3.9V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±5.13%
150°C (TJ)
-
3 µA @ 1 V
SOD-882
3.9 V
365 mW
90 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-
BZX884S-C5V6YL
DIODE ZENER 5.6V 365MW 2DFN
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
TrenchMOS™
Surface Mount
±7.14%
150°C (TJ)
-
1 µA @ 2 V
SOD-882
5.6 V
365 mW
40 Ohms
900 mV @ 10 mA
DFN1006BD-2
-

关于  单齐纳二极管

齐纳二极管是一种设计用于反向击穿模式的半导体器件,意味着它们在反向达到特定电压时开始工作。这些二极管根据在此模式下的行为进行特征标识,并常用作电压参考或电压限制器。 除了作为电压参考的主要功能外,齐纳二极管还可以用作电流流动的单向阀门,尽管其在此功能下的性能通常不如专用整流二极管理想。尽管如此,在某些电路中,齐纳二极管仍可作为有效的电流流动调节器。 齐纳二极管系列中的每个器件封装都实现了这一功能的一个实例,使它们在广泛的电子电路应用中非常有用。凭借其独特的反向击穿工作模式和多功能特性,齐纳二极管是许多电子设备中宝贵的组件。 总之,齐纳二极管是设计用于反向击穿模式的,并根据此行为进行特征标识。它们通常用作电压参考或电压限制器,并可用作电流流动调节器。每个器件封装都包含这一功能的一个实例,使齐纳二极管成为各种电子电路应用中多功能的组件。