NC1D Series, 单二极管

结果:
3
Manufacturer
Series
Capacitance @ Vr, F
Current - Reverse Leakage @ Vr
Current - Average Rectified (Io)
Supplier Device Package
Package / Case
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
Speed
Reverse Recovery Time (trr)
Grade
Mounting Type
Qualification
Technology
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
Operating Temperature - Junction
结果3
搜索条目:
NC1D
选择
图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeGradeVoltage - DC Reverse (Vr) (Max)Voltage - Forward (Vf) (Max) @ IfSpeedReverse Recovery Time (trr)Operating Temperature - JunctionPackage / CaseCurrent - Average Rectified (Io)Current - Reverse Leakage @ VrSupplier Device PackageQualificationSeriesTechnologyCapacitance @ Vr, F
NC1D120C10ATNG
SiC Schottky 1200V 10A TO220- 2L
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-
1200 V
1.6 V @ 10 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
10A
35 µA @ 1200 V
TO-220-2L
-
NC1D
SiC (Silicon Carbide) Schottky
670pF @ 0.1V, 1MHz
NC1D120C30KTNG
SiC Schottky 1200V 30A TO247- 2L
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-
1200 V
1.6 V @ 20 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
-55°C ~ 175°C
TO-247-2
30A
85 µA @ 1200 V
TO-247-2L
-
NC1D
SiC (Silicon Carbide) Schottky
2125pF @ 0.1V, 1MHz
NC1D120C20KTNG
SiC Schottky 1200V 20A TO247- 2L
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-
1200 V
1.6 V @ 20 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
-55°C ~ 175°C
TO-247-2
20A
50 µA @ 1200 V
TO-247-2L
-
NC1D
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1371pF @ 0V, 1MHz

关于  单二极管

单个整流二极管是专为只允许电流在一个方向上流动而设计的电子元件。这些二极管通常用于将交流电(AC)转换为直流电(DC),通过允许正半周期的交流信号通过,同时阻止负半周期的信号。 每个单个整流二极管的器件封装中只包含一个这样的功能。这些二极管通常用于电源电路、电压稳压器和电池充电器等应用中。它们的特征基于其最大正向电压、峰值反向电压和最大平均正向电流等级。 值得注意的是,用于其他用途的二极管(如齐纳二极管和可变电容二极管)在自己的产品系列中单独列出。这些二极管具有独特的特性,并为特定应用而设计。同样,具有多个二极管的单个封装的产品也会被单独列出。 总之,单个整流二极管是电子电路中将交流电转换为直流电的关键组件。通过仅允许电流在一个方向上流动,它们确保电子设备按预期运行。通过基于正向电压、反向电压和平均正向电流等级的规格,工程师可以选择最适合其电路需求的单个整流二极管。