WBG Series, 单二极管

结果:
10
Manufacturer
Series
Current - Average Rectified (Io)
Supplier Device Package
Package / Case
Current - Reverse Leakage @ Vr
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
Capacitance @ Vr, F
Mounting Type
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
Speed
Reverse Recovery Time (trr)
Grade
Qualification
Technology
Operating Temperature - Junction
结果10
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WBG
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypePackage / CaseGradeVoltage - DC Reverse (Vr) (Max)SpeedOperating Temperature - JunctionSupplier Device PackageCurrent - Average Rectified (Io)Voltage - Forward (Vf) (Max) @ IfCurrent - Reverse Leakage @ VrReverse Recovery Time (trr)QualificationSeriesTechnologyCapacitance @ Vr, F
ADC6D10065G
DIODE SIL SIC 650V 36A TO263-2
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
650 V
No Recovery Time > 500mA (Io)
-55°C ~ 175°C
TO-263-2
36A
1.8 V @ 2 A
2 µA @ 650 V
-
-
WBG
SiC (Silicon Carbide) Schottky
6.3pF @ 0V, 100kHz
ADC6D10065E
DIODE SIL SIC 650V 35A TO252-2
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
650 V
No Recovery Time > 500mA (Io)
-55°C ~ 175°C
TO-252-2
35A
1.8 V @ 2 A
2 µA @ 650 V
-
-
WBG
SiC (Silicon Carbide) Schottky
6.3pF @ 0V, 100kHz
ADC6D10065A
DIODE SIL SIC 650V 37A TO220-2
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-2
-
650 V
No Recovery Time > 500mA (Io)
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
37A
1.8 V @ 2 A
2 µA @ 650 V
-
-
WBG
SiC (Silicon Carbide) Schottky
6.3pF @ 0V, 100kHz
ADC4D10120E
DIODE SIL SIC 1200V 33A TO252-2
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
1200 V
No Recovery Time > 500mA (Io)
-55°C ~ 175°C
TO-252-2
33A
1.8 V @ 10 A
2 µA @ 1200 V
-
-
WBG
SiC (Silicon Carbide) Schottky
6.3pF @ 0V, 100kHz
ADC4D10120D
DIODE SIL SIC 1200V 9A TO247-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-247-3
-
1200 V
No Recovery Time > 500mA (Io)
-55°C ~ 175°C
TO-247-3
9A
1.8 V @ 2 A
2 µA @ 1200 V
-
-
WBG
SiC (Silicon Carbide) Schottky
6.3pF @ 0V, 100kHz
ADC4D10120H
DIODE SIL SIC 1200V 31.5A TO247-
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-247-2
-
1200 V
No Recovery Time > 500mA (Io)
-55°C ~ 175°C
TO-247-2
31.5A
1.8 V @ 2 A
2 µA @ 1200 V
-
-
WBG
SiC (Silicon Carbide) Schottky
6.3pF @ 0V, 100kHz
ADC4D10120A
DIODE SIL SIC 1200V 33A TO220-2
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-220-2
-
1200 V
No Recovery Time > 500mA (Io)
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
33A
1.8 V @ 2 A
2 µA @ 1200 V
-
-
WBG
SiC (Silicon Carbide) Schottky
6.3pF @ 0V, 100kHz
ADE4D20120G
DIODE SIL SIC 1200V 56A TO263-2
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
1200 V
No Recovery Time > 500mA (Io)
-55°C ~ 175°C
TO-263-2
56A
1.85 V @ 20 A
20 µA @ 1200 V
-
-
WBG
SiC (Silicon Carbide) Schottky
12pF @ 0V, 100kHz
ADE4D20120D
DIODE SIL SIC 1200V 33A TO247-3
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-247-3
-
1200 V
No Recovery Time > 500mA (Io)
-55°C ~ 175°C
TO-247-3
33A
1.85 V @ 20 A
20 µA @ 1200 V
-
-
WBG
SiC (Silicon Carbide) Schottky
12pF @ 0V, 100kHz
ADC4D20120H
DIODE SIL SIC 1200V 54A TO247-2
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-247-2
-
1200 V
No Recovery Time > 500mA (Io)
-55°C ~ 175°C
TO-247-2
54A
1.85 V @ 20 A
10 µA @ 1200 V
-
-
WBG
SiC (Silicon Carbide) Schottky
12pF @ 0V, 100kHz

关于  单二极管

单个整流二极管是专为只允许电流在一个方向上流动而设计的电子元件。这些二极管通常用于将交流电(AC)转换为直流电(DC),通过允许正半周期的交流信号通过,同时阻止负半周期的信号。 每个单个整流二极管的器件封装中只包含一个这样的功能。这些二极管通常用于电源电路、电压稳压器和电池充电器等应用中。它们的特征基于其最大正向电压、峰值反向电压和最大平均正向电流等级。 值得注意的是,用于其他用途的二极管(如齐纳二极管和可变电容二极管)在自己的产品系列中单独列出。这些二极管具有独特的特性,并为特定应用而设计。同样,具有多个二极管的单个封装的产品也会被单独列出。 总之,单个整流二极管是电子电路中将交流电转换为直流电的关键组件。通过仅允许电流在一个方向上流动,它们确保电子设备按预期运行。通过基于正向电压、反向电压和平均正向电流等级的规格,工程师可以选择最适合其电路需求的单个整流二极管。