Gen-III Series, 单二极管

结果:
8
Manufacturer
Series
Capacitance @ Vr, F
Current - Reverse Leakage @ Vr
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
Current - Average Rectified (Io)
Supplier Device Package
Package / Case
Speed
Reverse Recovery Time (trr)
Grade
Mounting Type
Qualification
Technology
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
Operating Temperature - Junction
结果8
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Gen-III
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypeGradeSupplier Device PackageVoltage - DC Reverse (Vr) (Max)Voltage - Forward (Vf) (Max) @ IfSpeedReverse Recovery Time (trr)Current - Reverse Leakage @ VrOperating Temperature - JunctionPackage / CaseSeriesCurrent - Average Rectified (Io)Capacitance @ Vr, FQualificationTechnology
UJ3D06516TS
DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-
TO-220-2
650 V
1.7 V @ 16 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
100 µA @ 650 V
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
Gen-III
16A
500pF @ 1V, 1MHz
-
SiC (Silicon Carbide) Schottky
UJ3D06504TS
DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-
TO-220-2
650 V
1.7 V @ 4 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
25 µA @ 650 V
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
Gen-III
4A
118pF @ 1V, 1MHz
-
SiC (Silicon Carbide) Schottky
UJ3D06508TS
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-
TO-220-2
650 V
1.7 V @ 8 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 650 V
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
Gen-III
8A
250pF @ 1V, 1MHz
-
SiC (Silicon Carbide) Schottky
UJ3D06510TS
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-
TO-220-2
650 V
1.7 V @ 10 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
60 µA @ 650 V
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
Gen-III
10A
327pF @ 1V, 1MHz
-
SiC (Silicon Carbide) Schottky
UJ3D06506TS
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-
TO-220-2
650 V
1.7 V @ 6 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
40 µA @ 650 V
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
Gen-III
6A
196pF @ 1V, 1MHz
-
SiC (Silicon Carbide) Schottky
UJ3D06520TS
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-
TO-220-2
650 V
1.7 V @ 20 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
120 µA @ 650 V
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
Gen-III
20A
654pF @ 1V, 1MHz
-
SiC (Silicon Carbide) Schottky
UJ3D06530TS
DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-
TO-220-2
650 V
1.7 V @ 30 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
370 µA @ 650 V
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
Gen-III
30A
990pF @ 1V, 1MHz
-
SiC (Silicon Carbide) Schottky
UJ3D06520KSD
DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-
TO-247-3
650 V
1.7 V @ 10 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
120 µA @ 650 V
-55°C ~ 175°C
TO-247-3
Gen-III
10A
654pF @ 1V, 1MHz
-
SiC (Silicon Carbide) Schottky

关于  单二极管

单个整流二极管是专为只允许电流在一个方向上流动而设计的电子元件。这些二极管通常用于将交流电(AC)转换为直流电(DC),通过允许正半周期的交流信号通过,同时阻止负半周期的信号。 每个单个整流二极管的器件封装中只包含一个这样的功能。这些二极管通常用于电源电路、电压稳压器和电池充电器等应用中。它们的特征基于其最大正向电压、峰值反向电压和最大平均正向电流等级。 值得注意的是,用于其他用途的二极管(如齐纳二极管和可变电容二极管)在自己的产品系列中单独列出。这些二极管具有独特的特性,并为特定应用而设计。同样,具有多个二极管的单个封装的产品也会被单独列出。 总之,单个整流二极管是电子电路中将交流电转换为直流电的关键组件。通过仅允许电流在一个方向上流动,它们确保电子设备按预期运行。通过基于正向电压、反向电压和平均正向电流等级的规格,工程师可以选择最适合其电路需求的单个整流二极管。