CoolSiC™ Series, 单二极管

结果:
11
Manufacturer
Series
Capacitance @ Vr, F
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
Current - Average Rectified (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr
Supplier Device Package
Qualification
Speed
Reverse Recovery Time (trr)
Grade
Mounting Type
Package / Case
Technology
Diode Configuration
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
Operating Temperature - Junction
结果11
搜索条目:
CoolSiC™
选择
图片产品详情单价可用性ECAD 模型Mounting TypePackage / CaseSeriesVoltage - DC Reverse (Vr) (Max)Voltage - Forward (Vf) (Max) @ IfSpeedReverse Recovery Time (trr)Current - Reverse Leakage @ VrOperating Temperature - JunctionSupplier Device PackageCurrent - Average Rectified (Io)QualificationGradeTechnologyCapacitance @ Vr, F
AIDK08S65C5ATMA1
1+
$11.4085
5+
$10.7746
10+
$10.1408
数量
5,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
CoolSiC™
650 V
1.7 V @ 8 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 650 V
-40°C ~ 175°C
PG-TO263-2
8A
AEC-Q101
Automotive
SiC (Silicon Carbide) Schottky
248pF @ 1V, 1MHz
AIDW10S65C5XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-247-3
CoolSiC™
650 V
1.7 V @ 10 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
60 µA @ 650 V
-40°C ~ 175°C
PG-TO247-3-41
10A
AEC-Q100/101
Automotive
SiC (Silicon Carbide) Schottky
303pF @ 1V, 1MHz
AIDK10S65C5ATMA1
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
CoolSiC™
650 V
1.7 V @ 10 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
60 µA @ 650 V
-40°C ~ 175°C
PG-TO263-2
10A
AEC-Q101
Automotive
SiC (Silicon Carbide) Schottky
303pF @ 1V, 1MHz
AIDW12S65C5XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-247-3
CoolSiC™
650 V
1.7 V @ 12 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
70 µA @ 650 V
-40°C ~ 175°C
PG-TO247-3-41
12A
AEC-Q100/101
Automotive
SiC (Silicon Carbide) Schottky
363pF @ 1V, 1MHz
AIDW20S65C5XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-247-3
CoolSiC™
650 V
1.7 V @ 20 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
120 µA @ 650 V
-40°C ~ 175°C
PG-TO247-3-41
20A
AEC-Q100/101
Automotive
SiC (Silicon Carbide) Schottky
584pF @ 1V, 1MHz
AIDW40S65C5XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-247-3
CoolSiC™
650 V
1.7 V @ 40 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
120 µA @ 650 V
-40°C ~ 175°C
PG-TO247-3-41
40A
AEC-Q100/101
Automotive
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1138pF @ 1V, 1MHz
AIDW16S65C5XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-247-3
CoolSiC™
650 V
1.7 V @ 16 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
90 µA @ 650 V
-40°C ~ 175°C
PG-TO247-3-41
16A
AEC-Q100/101
Automotive
SiC (Silicon Carbide) Schottky
471pF @ 1V, 1MHz
AIDW30S65C5XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-247-3
CoolSiC™
650 V
1.7 V @ 30 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
120 µA @ 650 V
-40°C ~ 175°C
PG-TO247-3-41
30A
AEC-Q100/101
Automotive
SiC (Silicon Carbide) Schottky
860pF @ 1V, 1MHz
IDFW80C65D1XKSA1
DIODE GP 650V 74A TO247-3-AI
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
TO-247-3
CoolSiC™
650 V
1.7 V @ 40 A
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
73 ns
40 µA @ 650 V
-40°C ~ 175°C
PG-TO247-3-AI
-
-
Standard
AIDK12S65C5ATMA1
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
CoolSiC™
650 V
1.7 V @ 12 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
70 µA @ 650 V
-40°C ~ 175°C
PG-TO263-2
12A
AEC-Q101
Automotive
SiC (Silicon Carbide) Schottky
363pF @ 1V, 1MHz
AIDK16S65C5ATMA1
联系我们
数量
联系我们
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
CoolSiC™
650 V
1.7 V @ 16 A
No Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
90 µA @ 650 V
-40°C ~ 175°C
PG-TO263-2
16A
AEC-Q101
Automotive
SiC (Silicon Carbide) Schottky
483pF @ 1V, 1MHz

关于  单二极管

单个整流二极管是专为只允许电流在一个方向上流动而设计的电子元件。这些二极管通常用于将交流电(AC)转换为直流电(DC),通过允许正半周期的交流信号通过,同时阻止负半周期的信号。 每个单个整流二极管的器件封装中只包含一个这样的功能。这些二极管通常用于电源电路、电压稳压器和电池充电器等应用中。它们的特征基于其最大正向电压、峰值反向电压和最大平均正向电流等级。 值得注意的是,用于其他用途的二极管(如齐纳二极管和可变电容二极管)在自己的产品系列中单独列出。这些二极管具有独特的特性,并为特定应用而设计。同样,具有多个二极管的单个封装的产品也会被单独列出。 总之,单个整流二极管是电子电路中将交流电转换为直流电的关键组件。通过仅允许电流在一个方向上流动,它们确保电子设备按预期运行。通过基于正向电压、反向电压和平均正向电流等级的规格,工程师可以选择最适合其电路需求的单个整流二极管。