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供应商:
Rohm Semiconductor描述:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
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属性
技术文件
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| Manufacturer | Rohm Semiconductor |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Power - Max | 150mW |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | EMT6 |
数据表
EMH3T2R 数据表 (PDF)
产品概述
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EMH3T2R - 来自制造商: ROHM Semiconductor, 它是一款 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6, 属于 分立半导体产品, 晶体管 , 双极（BJT）, 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列，预偏置。 。EMH3T2R 库存状态: 现货; 立即订货! 今日发货。
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