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Infineon Technologies描述:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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属性
技术文件
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Power - Max | 250mW |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6-1 |
数据表
BCR35PNH6433 数据表 (PDF)
产品概述
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BCR35PNH6433 - 来自制造商: Infineon Technologies, 它是一款 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 属于 分立半导体产品, 晶体管 , 双极（BJT）, 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列，预偏置。 。BCR35PNH6433 库存状态: 现货; 立即订货! 今日发货。
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