Diodes 的DZDH0401DW控制器驱动一个P沟道MOSFET,在高达40V的系统中提供高压侧轨隔离以实现反向放电保护。它与低导通电阻 MOSFET 的结合降低了功率耗散,从而提高了效率、降低了热管理成本并提高了系统可靠性。该紧凑型解决方案最大限度地减少了设计工作量,适用于空间受限的设计。
详细说明:
Diodes 的 DZDH0401DW 控制器设计用于驱动 P 沟道 MOSFET,提供出色的电源效率和反向放电保护。该器件专门设计用于提供高压侧轨隔离,这对于在电压高达 40V 的系统中阻断反向电流至关重要。这项技术的应用范围非常广泛,包括无绳电动工具、自主家用电器和花园电器,以及数据中心服务器中热插拔和 N+1 冗余电源中常用的 OR-ing 整流器。
通过将 DZDH0401DW 与低导通电阻 MOSFET 搭配使用,与使用肖特基二极管解决方案相比,设计人员可以显著降低功率耗散,尤其是在高功率应用中。
在实际应用中,当输入电源断开时,DZDH0401DW 会检测到这一变化,并随后将 MOSFET 驱动至关断状态。
完整的反向放电保护解决方案包括 DZDH0401DW 控制器、一个 MOSFET 和两个电阻器。这种简单而有效的安排最大限度地减少了设计工作量,为空间受限的设计提供了合适的解决方案。此外,DZDH0401DW 采用紧凑型 SOT363 封装,尺寸为 2.1mm x 2.15mm x 1.0mm,进一步提高了其在空间有限的应用中的适用性。
低正向功率损耗
提高能源效率,降低热管理成本
高隔离反向放电保护
提高系统稳定性和可靠性
解决方案占用空间小
优化电路板空间
电池放电保护
高压侧断开开关
热插拔电源
N+1 冗余电源
应急照明系统
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