BLF 系列, RF FET,MOSFET

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BLF
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesNoise FigureGainVoltage - RatedPackage / CaseTransistor TypeFrequencyVoltage - TestCurrent Rating (Amps)Current - TestPower - OutputSupplier Device Package
BLF177R
HF/VHF POWER VDMOS TRANSISTOR (
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLF
-
19dB
125 V
SOT-121B
N-Channel
108MHz
50 V
2.5mA
700 mA
150W
SOT121B
BLF1046
RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLF
-
14dB
65 V
SOT-467C
LDMOS
1GHz
26 V
1µA
300 mA
45W
SOT467C
BLF1043
RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F
1+
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLF
-
18.5dB
65 V
SOT-538A
LDMOS
1GHz
26 V
1.5µA
85 mA
10W
2-CSMD
BLF6G22LS-75112
LDMOS RF POWER TRANSISTOR
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLF
-
18.7dB
65 V
SOT-502B
LDMOS
2GHz ~ 2.2GHz
28 V
3µA
690 mA
75W
SOT502B
BLF7G20L-90P112
LDMOS RF POWER TRANSISTOR
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLF
-
19.5dB
65 V
SOT-1121A
2.11GHz ~ 2.17GHz
28 V
2µA
550 mA
90W
LDMOST
BLF8G22LS-270112
LDMOS RF POWER TRANSISTOR
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLF
-
17.7dB
65 V
SOT-502B
2.11GHz ~ 2.17GHz
28 V
4.2µA
2.4 A
270W
SOT502B
BLF546
RF PFET, 2-ELEMENT, ULTRA HIGH F
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
BLF
-
13dB
65 V
SOT-268A
500MHz
28 V
2mA
160 mA
80W
CDFM4

关于  RF FET,MOSFET

射频晶体管、场效应晶体管(FET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种具有三个端子的半导体器件,其内部电流流动由电场调节。这些器件专门用于在射频范围内工作的设备中,是射频应用中不可或缺的组件。在这个器件系列中,有各种类型的晶体管,用于信号和功率的放大或开关,包括增强型高电子迁移率晶体管(E-pHEMT)、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅、2个N沟道和4个N沟道晶体管。 这些半导体器件在电子系统中实现了对射频信号的操控和控制,发挥着至关重要的作用。通过利用射频晶体管、FET和MOSFET的独特特性,工程师和设计师可以实现对射频信号的高效放大和开关,满足无线通信、雷达系统、射频识别和其他射频中心应用的严格要求。 该器件系列提供了广泛的晶体管类型,以满足射频应用中特定的性能、功率和频率要求,反映了个性化解决方案的需求。无论是高频、高功率放大、低噪声信号处理还是高效功率开关,这些专业化的晶体管类型为工程师提供了灵活性和多功能性,以优化射频系统的性能。 总而言之,射频晶体管、FET和MOSFET是为射频应用而设计的重要半导体器件,具有各种晶体管类型,用于信号放大和功率开关。它们的应用可以精确管理和控制电子系统中的射频信号,满足无线通信、雷达和射频识别应用的多样化需求。