RFCS 系列, 硅电容器

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RFCS
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图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesFeaturesApplicationsOperating TemperaturePackage / CaseCapacitanceToleranceVoltage - BreakdownESL (Equivalent Series Inductance)HeightSize / DimensionESR (Equivalent Series Resistance)
RFCS04021200CBTT1
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
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-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
1.2 pF
±0.1pF
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04021200CBTTS
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
1.2 pF
±0.1pF
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04026000DBTT1
CAP SILICON 0.6PF 50V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.6 pF
±0.1pF
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04027000DBTT1
CAP SILICON 0.7PF 50V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
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-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.7 pF
±0.1pF
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04028000DBTT1
CAP SILICON 0.8PF 50V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.8 pF
±0.1pF
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04026000DBTTS
CAP SILICON 0.6PF 50V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.6 pF
±0.1pF
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04029000DBTT1
CAP SILICON 0.9PF 50V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.9 pF
±0.1pF
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04024700CJTT1
CAP SILICON 4.7PF 5% 25V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
4.7 pF
±5%
25 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04027000DBTTS
CAP SILICON 0.7PF 50V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.7 pF
±0.1pF
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04025600CJTT1
CAP SILICON 5.6PF 5% 25V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
5.6 pF
±5%
25 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04026800CJTT1
CAP SILICON 6.8PF 5% 25V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
6.8 pF
±5%
25 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04028000DBTTS
CAP SILICON 0.8PF 50V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.8 pF
±0.1pF
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04028200CJTTS
CAP SILICON 8.2PF 5% 25V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
8.2 pF
±5%
25 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04028200CJTT1
CAP SILICON 8.2PF 5% 25V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
8.2 pF
±5%
25 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04029000DBTTS
CAP SILICON 0.9PF 50V 0402
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RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.9 pF
±0.1pF
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04025000DBTT1
CAP SILICON 0.5PF 50V 0402
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RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
0.5 pF
±0.1pF
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04021200CBTWS
CAP SILICON 1.2PF 50V 0402
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RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
1.2 pF
±0.1pF
50 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04021200BJTWS
CAP SILICON 12PF 16V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
12 pF
±5%
16 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04021500BJTWS
CAP SILICON 15PF 16V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
15 pF
±5%
16 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-
RFCS04021800BJTWS
CAP SILICON 18PF 16V 0402
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
RFCS
-
-
-55°C ~ 125°C
0402 (1005 Metric)
18 pF
±5%
16 V
-
0.016" (0.41mm)
0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm)
-

关于  硅电容器

硅和薄膜电容器是使用与半导体器件生产常见的工具、方法和材料制造的专用设备。这使得能够生产具有接近理想特性和出色参数稳定性的电容器。然而,这些电容器可用的数值范围有限且相对于陶瓷基电容器来说价格较高,后者是其主要竞争对手。 硅和薄膜电容器的制造过程允许对生产参数进行极高精度和控制。这导致电容器在电容值、电压额定值和其他电学特性方面表现出很好的稳定性。它们被设计为在时间和不同条件下维持其指定数值,因此适用于需要精确和可靠性能的应用。 尽管具有这些优点,与陶瓷基电容器相比,硅和薄膜电容器的可用电容值范围相对较窄。这种限制可能会限制它们在某些需要更多电容选项的应用中的使用。 此外,由于涉及专门的工艺和材料,硅和薄膜电容器的制造成本通常较高。因此,相对于陶瓷基替代品,这些电容器经常被认为成本更高。 总之,硅和薄膜电容器是使用半导体制造技术生产的电容器,可创造出具有接近理想特性和优异参数稳定性的电容器。虽然它们的电容值范围有限,但非常适合需要精确和可靠性能的应用。但是,在选择适当的电容器时,与陶瓷基电容器相比较高的成本是一个重要的考虑因素。