BZT52 系列, 单齐纳二极管

结果:
487
Manufacturer
Series
Reset
Current - Reverse Leakage @ Vr
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
Impedance (Max) (Zzt)
Tolerance
Supplier Device Package
Package / Case
Power - Max
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
Operating Temperature
Regulator Current (Max)
Qualification
Voltage - Limiting (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
Mounting Type
Reverse Recovery Time (trr)
Capacitance @ Vr, F
Voltage - Breakdown (Min)
Voltage - Reverse Standoff (Typ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs)
Technology
Current - Average Rectified (Io)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp
Capacitance @ Frequency
Speed
Applications
Operating Temperature - Junction
Grade
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
Bidirectional Channels
Type
Power - Peak Pulse
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
Transistor Type
Unidirectional Channels
Frequency - Transition
Current - Collector (Ic) (Max)
Power Line Protection
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
Current - Collector Cutoff (Max)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Attenuation Value
Noise - 0.1Hz to 10Hz
Configuration
Values
Voltage - Rated
Noise - 10Hz to 10kHz
Number of Channels
Size / Dimension
Current - Supply
Reference Type
Diode Configuration
Resistance - Channel (Ohms)
Current
Filter Order
Output Type
Center / Cutoff Frequency
Current - Output
Voltage - Anode - Cathode (Vak)(Max)
Temperature Coefficient
Voltage - Output (Min/Fixed)
Height
Voltage - Input
Voltage - Output (Max)
ESD Protection
Current - Cathode
结果487
搜索条目:
BZT52
选择
图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesMounting TypeSupplier Device PackageOperating TemperaturePower - MaxPackage / CaseToleranceVoltage - Zener (Nom) (Vz)Impedance (Max) (Zzt)Voltage - Forward (Vf) (Max) @ IfCurrent - Reverse Leakage @ Vr
BZT52A15-E3-08
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BZT52
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BZT52
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SOD-123
150°C (TJ)
350 mW
SOD-123
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33 V
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900 mV @ 10 mA
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SOD-123
150°C (TJ)
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SOD-123
±5%
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100 µA @ 1 V
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SOD-123
-55°C ~ 150°C
410 mW
SOD-123
±5%
15 V
30 Ohms
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100 nA @ 11 V
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-55°C ~ 150°C
410 mW
SOD-123
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5.1 V
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100 nA @ 800 mV
BZT52C27-E3-08
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SOD-123
-55°C ~ 150°C
410 mW
SOD-123
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27 V
80 Ohms
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100 nA @ 20 V
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SOD-123
-55°C ~ 150°C
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SOD-123
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SOD-123
-55°C ~ 150°C
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-55°C ~ 150°C
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BZT52B9V1-E3-08
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BZT52
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SOD-123
-55°C ~ 150°C
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SOD-123
±2%
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SOD-123
-55°C ~ 150°C
410 mW
SOD-123
±2%
3 V
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SOD-123
-65°C ~ 150°C
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SOD-123
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12 V
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BZT52
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SOD-123
-65°C ~ 150°C
410 mW
SOD-123
±2%
15 V
30 Ohms
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100 nA @ 11 V
BZT52C2V4-E3-18
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SOD-123
-55°C ~ 150°C
410 mW
SOD-123
±5%
24 V
70 Ohms
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100 nA @ 18 V
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SOD-123
-55°C ~ 150°C
410 mW
SOD-123
±5%
20 V
50 Ohms
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100 nA @ 15 V
BZT52C3V6-E3-18
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BZT52
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SOD-123
-55°C ~ 150°C
410 mW
SOD-123
±5%
3.6 V
95 Ohms
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关于  单齐纳二极管

齐纳二极管是一种设计用于反向击穿模式的半导体器件,意味着它们在反向达到特定电压时开始工作。这些二极管根据在此模式下的行为进行特征标识,并常用作电压参考或电压限制器。 除了作为电压参考的主要功能外,齐纳二极管还可以用作电流流动的单向阀门,尽管其在此功能下的性能通常不如专用整流二极管理想。尽管如此,在某些电路中,齐纳二极管仍可作为有效的电流流动调节器。 齐纳二极管系列中的每个器件封装都实现了这一功能的一个实例,使它们在广泛的电子电路应用中非常有用。凭借其独特的反向击穿工作模式和多功能特性,齐纳二极管是许多电子设备中宝贵的组件。 总之,齐纳二极管是设计用于反向击穿模式的,并根据此行为进行特征标识。它们通常用作电压参考或电压限制器,并可用作电流流动调节器。每个器件封装都包含这一功能的一个实例,使齐纳二极管成为各种电子电路应用中多功能的组件。