光学传感器 - 光检测器 - CdS 电池

结果:
75
Manufacturer
Series
Cell Resistance @ Illuminance
Cell Resistance (Min) @ Dark
Voltage - Max
Rise Time (Typ)
Wavelength
Operating Temperature
Fall Time (Typ)
Supplier Device Package
Package / Case
Mounting Type
结果75
选择
图片产品详情单价可用性ECAD 模型SeriesSupplier Device PackageMounting TypePackage / CaseWavelengthVoltage - MaxRise Time (Typ)Fall Time (Typ)Cell Resistance (Min) @ DarkCell Resistance @ IlluminanceOperating Temperature
PDV-P8103
CDS PHOTORESISTOR 16-33KOHM
1+
¥9.0000
5+
¥8.5000
10+
¥8.0000
数量
6,729 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
Through Hole
Radial
520nm
150Vpk
60 ms
25 ms
500 kOhms @ 10 s
16 ~ 33kOhms @ 10 lux
-30°C ~ 75°C (TA)
NSL-6110
CDS PHOTORESISTOR 170OHM TO-18
1+
¥47.7000
5+
¥45.0500
10+
¥42.4000
数量
1,000 可用
可以立即发货
发货地: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
TO-18
Through Hole
Radial
615nm
100Vpk
-
-
1.3 MOhms @ 5 s
1.34 ~ 2.66kOhms @ 21 lux
-60°C ~ 75°C (TA)
02-LDR3
PHOTOCELL 100-200K OHM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Radial
Through Hole
Radial
540nm
100VDC
20 ms
30 ms
10 kOhms @ 10 s
100 ~ 200kOhms @ 10 lux
-30°C ~ 70°C (TA)
02-LDR1
PHOTOCELL 50-100K OHM
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
02-LDR12
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Radial
Through Hole
Radial
560nm
250VDC
30 ms
30 ms
1 MOhms @ 10 s
5 ~ 10kOhm @ 10 lux
-30°C ~ 70°C (TA)
02-LDR21
20MM LDR 10K-20K OHM
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Radial
Through Hole
Radial
560nm
500VDC
30 ms
30 ms
2 MOhms @ 10 s
10 ~ 20kOhm @ 10 lux
-30°C ~ 70°C (TA)
02-LDR23
20MM LDR 50K-100K OHM
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Radial
Through Hole
Radial
560nm
500VDC
30 ms
30 ms
8 MOhms @ 10 s
50 ~ 100kOhm @ 10 lux
-30°C ~ 70°C (TA)
02-LDR22
20MM LDR 30K-50K OHM
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Radial
Through Hole
Radial
560nm
500VDC
30 ms
30 ms
5 MOhms @ 10 s
30 ~ 50kOhm @ 10 lux
-30°C ~ 70°C (TA)
02-LDR20
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Radial
Through Hole
Radial
560nm
500VDC
30 ms
30 ms
1 MOhms @ 10 s
5 ~ 10kOhm @ 10 lux
-30°C ~ 70°C (TA)
02-LDR13
12MM LDR 10K-20K OHM
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Radial
Through Hole
Radial
560nm
250VDC
30 ms
30 ms
2 MOhms @ 10 s
10 ~ 20kOhm @ 10 lux
-30°C ~ 70°C (TA)
02-LDR14
10MM LDR 30K-50K OHM
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Radial
Through Hole
Radial
560nm
250VDC
30 ms
30 ms
5 MOhms @ 10 s
30 ~ 50kOhm @ 10 lux
-30°C ~ 70°C (TA)
02-LDR15
12MM LDR 50K-100K OHM
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Radial
Through Hole
Radial
560nm
250VDC
30 ms
30 ms
8 MOhms @ 10 s
50 ~ 100kOhm @ 10 lux
-30°C ~ 70°C (TA)
02-LDR4
5MM LDR 30K-50K OHM
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Radial
Through Hole
Radial
540nm
150VDC
20 ms
30 ms
3 MOhms @ 10 s
30 ~ 50kOhm @ 10 lux
-30°C ~ 70°C (TA)
02-LDR2
PHOTOCELL 5-10K OHM
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
LDR
Radial
Through Hole
Radial
540nm
100VDC
30 ms
30 ms
500 Ohms @ 10 s
5 ~ 10kOhms @ 10 lux
-30°C ~ 70°C (TA)
NSL-45S5150
TO-18 PHOTOCELL (CDS PHOTORESIST
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
TO-18
Through Hole
TO-18-2
550nm
60Vpk
-
-
-
-
-60°C ~ 75°C (TA)
PDV-P7002
CDS PHOTORES CONDUCT 0.263X.249
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
Through Hole
Radial
520nm
350Vpk
55 ms
20 ms
500 kOhms @ 10 s
4 ~ 20kOhms @ 10 lux
-30°C ~ 75°C (TA)
161
PHOTO CELL (CDS PHOTORESISTOR)
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
Through Hole
Radial
-
-
-
-
200 kOhms @ 10 s
-
-
NSL-5540
CDS PHOTORES FLAT LENS TO5 HERM
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
TO-5
Through Hole
Radial
550nm
125Vpk
-
-
20 MOhms @ 5 s
20 ~ 40kOhms @ 21 lux
-60°C ~ 75°C (TA)
NSL-5112
CDS PHOTORESISTOR 700OHM TO-18
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
Through Hole
Radial
550nm
100Vpk
-
-
670 kOhms @ 5 s
6 ~ 14kOhms @ 21 lux
-60°C ~ 75°C (TA)
NSL-19M51
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数量
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
-
-
Through Hole
Radial
550nm
100Vpk
-
-
20 MOhms @ 10 s
20 ~ 100kOhms @ 10 lux
-60°C ~ 75°C (TA)

关于  光学传感器 - 光检测器 - CdS 电池

硫化镉(CdS)光探测器,通常被称为光电阻、光敏电阻或光电导电池,是一种半导体器件,其电阻值取决于入射光的强度。这些器件广泛应用于需要光探测和控制的应用中。 CdS光探测器的基本工作原理基于光电导效应。在无光照射时,CdS材料具有较高的电阻,限制电流的流动。但是,当暴露在光线下时,光子会激发CdS中的电子,使它们移动并降低材料的电阻。因此,该器件作为受光控制的可变电阻器。 光电阻器的选择基于各种特性,包括电池电阻、最大电压和上升/下降时间。电池电阻确定器件在暗处的初始电阻,而最大电压指定可施加在光电阻上的最高电压,而不会损坏它。上升/下降时间指的是光强度增加或减少时电阻变化的速度。 这些光探测器在众多领域中应用广泛,包括光感应、自动照明控制、防盗报警、相机曝光控制和机器人技术等。它们能够检测并响应光强度的变化,使其在需要根据环境光条件进行自动调整或触发的情况下非常有用。 总之,CdS光探测器,也称为光电阻或光敏电阻,是一种半导体器件,其电阻值取决于入射光的强度。它们基于光电导效应工作,电阻值随着光强度的增加而减小。光电阻器的选择基于特性,如电池电阻、最大电压和上升/下降时间。这些器件在光感应、自动控制系统、防盗报警等领域具有众多应用,其光依赖性电阻可实现对环境光照条件的响应性调整。